맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

과열방지를 위한 이온주입장치

  • 기술번호 : KST2015153923
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 프린트 배선기판용 초경공구인 router 와 microdrill과 같은 소형 공구의 적용되는 이온주입장치가 개시되어 있다. 본 발명에 따른 이온주입장치는 질소, 탄소 및 산소와 같은 원소를 이온화시킨 후 이 이온을 강력한 전장을 이용하여 수십 keV 이상의 에너지로 가속시키고, 가속된 이온을 고속으로 피사체의 표면에 충돌시킨다. 본 발명에 따른 이온주입장치는 이온 발생장치, 입자가속장치 및 이온주입 챔버 부분으로 구성된다. 이온발생장치는 대전류 이온원을 선택하여 전류밀도가 10 mA/cm2 이상이 되도록 하였으며 입자가속장치는 최대 150keV까지 가속되도록 하였다. 일반적인 이온주입장치는 입자가속장치 이전에 질량분리 전자석을 설치하여 원하는 이온만을 피사체에 충돌시키지만 본 발명에 의한 입자가속장치에서는 경제성을 고려하여 질량분리 전자석을 설치하지 않았다. 본 이온주입장치는 이온주입용 챔버에 제품홀더를 6개 설치하고, 이 6개의 제품홀더가 제품홀더 가운데에 위치한 구동축에 의해 구동되어 공전 및 자전을 하도록 하여 가속 입자에 의한 가열시간을 1/6 이하로 줄어들게 함으로써 제품에 발생하는 열충격을 크게 감소시킬수 있도록 하고, 기존의 시간당 생산성을 약 5배 이상 증가시켜 대량생산으로 인한 경제적 생산성을 실현시킬 수 있도록 고안하였다.
Int. CL C23C 14/48 (2006.01.01) C23C 14/50 (2006.01.01)
CPC C23C 14/48(2013.01) C23C 14/48(2013.01)
출원번호/일자 1020000013875 (2000.03.18)
출원인 강석환, 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0091803 (2001.10.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강석환 대한민국 대전광역시 대덕구
2 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김홍수 대한민국 대전광역시서구
2 한문희 대한민국 대전광역시서구
3 김시경 대한민국 대전광역시유성구
4 유윤종 대한민국 대전광역시서구
5 강석환 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤의상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구 풍산로 **, 충북중소기업종합지원센타 *층 한울국제특허법률사무소 (가경동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-0052825-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.06.07 수리 (Accepted) 4-1-2005-5056995-90
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2010-5126213-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2016-5052901-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이온발생장치, 입자가속장치, 진공챔버 및 이온주입챔버로 구성되고 이온주입챔버에 6개 또는 그 이상의 원반형 제품홀더를 가진 제품홀더어셈블리를 장착하여 원반형 제품홀더를 공전 및 자전시킴으로써 원반형 제품홀더에 장착되는 제품의 과열을 방지하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치
2 2

제 1 항에 있어서, 상기 이온주입장치에서 RF ion source 혹은 DC ion source로 하며, 1 mA 이상의 최대전류를 발생시키는 이온발생장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치 것을 특징으로 하는 TFT-LCD용 패널 세정장치

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 이온주입장치에서 직경 10 cm 이상의 이온빔을 사용하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 이온주입장치에서 열충격없이 20㎂/cm2 이상의 이온빔 전류밀도를 사용하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치
5 5

제 1 항 내지 제 4 항에 있어서, 상기 이온주입장치에서 진공챔버와 이온주입챔버 사이에 gate valve를 설치하여 이온주입이 완료된 제품의 탈착과 새로운 제품의 장착 시 이온발생장치, 입자가속장치, 진공챔버의 진공에 영향을 미치지 않는 것을 특징으로 하는 이온주입장치
6 6

제 1 항 이온주입장치에서 50 ∼ 100 keV로 가속된 질소이온을 프린트배선기판용 초경공구인 microdrill과 router의 표면에 1 ∼ 5 ×1017 ions/cm2의 밀도로 침투시켜 초경공구의 수명을 1

7 7

제 1 항 이온주입장치에서 DC motor로 구동되는 2중 축을 가지는 제품홀더 어셈블리를 장착하여 외부 축은 원반형 제품홀더를 공전하게 하고, 내부 축은 원반형제품홀더를 자전하게 하는 것을 특징으로 하는 이온주입장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.