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초박형 HIT 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015153966
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초박형 HIT 태양전지에 관한 것으로서, n 또는 p 형의 결정질 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판과는 다른 형으로 도핑된 비정질 실리콘 에미터층; 및 상기 결정질 실리콘 기판과 상기 비정질 실리콘 에미터층 사이에 형성된 진성의 비정질 실리콘 패시베이션층을 포함하는 HIT 태양전지로서, 상기 HIT 태양전지는 상면에 ZnO 재질의 투명전도층을 더 포함하며, 상기 투명전도층의 표면에만 텍스처가 형성된 것을 특징으로 한다.본 발명은, 결정질 실리콘 기판의 표면에 텍스처를 형성하지 않고 투명전도층의 표면에만 텍스처를 형성함으로써, 매우 얇은 두께의 결정질 실리콘 기판을 사용할 수 있으며, 최종적으로 광포획능력을 유지하면서 전체 태양전지의 두께가 매우 얇은 초박형 HIT 태양전지를 구성할 수 있다.또한, 본 발명은 고가의 결정질 실리콘 기판을 식각하는 공정을 생략함으로써, 제조비용을 낮출 수 있는 효과가 있다. 나아가 본 발명은 결정질 실리콘 기판의 표면을 식각하는 과정에서 발생하는 결정질 실리콘 기판의 표면 결함에 의한 문제가 없기 때문에 태양전지 효율이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/0465 (2014.01)
CPC H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01)
출원번호/일자 1020140039432 (2014.04.02)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0114792 (2015.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.02)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
2 유진수 대한민국 서울특별시 노원구
3 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
5 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
6 안승규 대한민국 대전광역시 유성구
7 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
8 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
9 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
10 김기환 대한민국 대전광역시 서구
11 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
12 신기식 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0317741-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0001502-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0117826-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0392453-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0392454-63
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0583821-98
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1041556-13
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0143120-37
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0297163-65
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0297139-79
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0297059-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n 또는 p 형의 결정질 실리콘 기판;상기 실리콘 기판과는 다른 형으로 도핑된 비정질 실리콘 에미터층; 및상기 결정질 실리콘 기판과 상기 비정질 실리콘 에미터층 사이에 형성된 진성의 비정질 실리콘 패시베이션층을 포함하는 HIT 태양전지로서,상기 HIT 태양전지는 상면에 ZnO 재질의 투명전도층을 더 포함하며,상기 투명전도층의 표면에만 텍스처가 형성된 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 비정질 실리콘 에미터층의 반대편에 형성되고 상기 실리콘 기판과 동일한 형으로 도핑된 비정질 실리콘 후면전계층; 및 상기 비정질 실리콘 후면전계층과 상기 결정질 실리콘 기판 사이에 형성된 진성의 비정질 실리콘 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지
3 3
청구항 2에 있어서,상기 HIT 태양전지는 하면에 ZnO 재질의 하부 투명전도층을 더 포함하며,상기 하부 투명전도층의 표면에도 텍스처가 형성된 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중에 하나의 항에 있어서,상기 결정질 실리콘 기판의 두께가 100㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지
5 5
청구항 1 내지 청구항 3 중에 하나의 항에 있어서,상기 HIT 태양전지의 전체 두께가 150㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지
6 6
n 또는 p 형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판의 상면에 진성의 비정질 실리콘 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 패시베이션층의 상면에 상기 실리콘 기판과는 다른 형으로 도핑된 비정질 실리콘 에미터층을 형성하는 단계; 및상기 비정질 실리콘층의 상면에 ZnO 재질의 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 투명전도층을 형성하는 단계에서만 상기 투명전도층의 표면에 텍스처를 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
7 7
n 또는 p 형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 결정질 실리콘 기판의 양면에 각각 진성의 비정질 실리콘 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 두개의 패시베이션층 중에서 하나의 패시베이션층 표면에는 상기 실리콘 기판과는 다른 형으로 도핑된 비정질 실리콘 에미터층을 형성하고, 다른 하나의 패시베이션층 표면에는 상기 실리콘 기판과는 동일한 형으로 도핑된 비정질 실리콘 후면전계층을 형성하는 단계; 및상기 비정질 실리콘 에미터층 또는 상기 비정질 실리콘 후면전계층 중에서 하나의 표면에 ZnO 재질의 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 투명전도층을 형성하는 단계에서만 상기 투명전도층의 표면에 텍스처를 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 비정질 실리콘 에미터층 또는 상기 비정질 실리콘 후면전계층 중에서 상기 투명전도층이 형성되지 않은 하나의 표면에 ZnO 재질의 하부 투명전도층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 하부 투명전도층을 형성하는 단계가 상기 투명전도층을 형성하는 단계와 동일하게 수행되는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
9 9
청구항 6 내지 청구항 8 중에 한 항에 있어서,상기 투명전도층을 형성하는 단계가 LPCVD 공정으로 붕소(B)가 도핑된 ZnO(ZnO:B, BZO)박막을 형성하여 수행되는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 LPCVD 공정은, ZnO의 소스가스로서 CH2H5)2Zn와 H2O를 사용하고, 붕소를 포함하는 도핑가스로서를 B2H6 사용하며, 증착 압력은 0
11 11
청구항 6 내지 청구항 8 중에 한 항에 있어서,상기 투명전도층을 형성하는 단계가 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)이 도핑된 ZnO 박막을 증착한 뒤에 ZnO 박막의 표면에 텍스처를 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서,스퍼터링 공정으로 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)이 도핑된 ZnO 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
13 13
청구항 11에 있어서,상기 ZnO 박막의 표면에 텍스처를 형성하는 공정이 산 용액 또는 알칼리 용액을 이용하여 ZnO 박막의 표면을 화학적으로 식각하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 초박형 HIT 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09252316 US 미국 FAMILY
2 US20150287868 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015287868 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9252316 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 멀티스케일 에너지시스템 연구단 글로벌프론티어사업 멀티스케일 아키텍처링 나노구조 광포획기술을 이용한 nip형 실리콘 박막 태양전지 개발