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광투과 후면전극과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154007
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 후면전극을 개량한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 태양전지 모듈(module)의 뒷면으로 조사되는 빛을 투과시킬 수 있는 후면전극에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100)을 준비하는 단계(s1000); 상기 투명기판(100) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000); 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000) 를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법 및 이에 따른 광투과 후면전극을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01)
출원번호/일자 1020130087984 (2013.07.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1497955-0000 (2015.02.25)
공개번호/일자 10-2015-0012454 (2015.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20150303) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전 유성구
2 어영주 대한민국 대전 유성구
3 박주형 대한민국 대전 유성구
4 곽지혜 대한민국 대전 서구
5 윤재호 대한민국 대전 중구
6 조아라 대한민국 서울 관악구
7 신기식 대한민국 대전 유성구
8 안승규 대한민국 대전 유성구
9 윤경훈 대한민국 대전 유성구
10 유진수 대한민국 서울 노원구
11 박상현 대한민국 대전 유성구
12 안세진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0673602-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0200395-20
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0054769-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0600100-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1044886-44
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1044881-16
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0119138-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 후면전극의 제조방법에 있어서, 태양전지의 투명기판(100)을 준비하는 단계(s1000);상기 투명기판(100) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000);후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000);를 포함하며,상기 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000)에서의 상기 후면투명전극층(200)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 중 선택되는 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s2000)에서의 상기 투명기판(100)은 유리 또는 플라스틱 중 선택되는 하나의 재질로 구성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000)의 상기 광흡수층(300)은 CIGS(Cu(InGa)Se2), CdTs(Cadmium-Telluride), 결정질실리콘, 비결정질실리콘 중 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000)는 CIGS계 전구체 화합물을 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(Dip coating), 스프레이코팅(Spray coating), 닥터블레이드코팅(Dr
6 6
제 1항에 있어서, 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000)는 CIGS계 전구체 화합물을 E-beam 증착법(Electron beam evaporation), 전자빔 이온 플레이팅(Electron Beam Ion plating), 스퍼터링(Suppertering), 스퍼터링 이온 플레이팅 시스템(Suppertering Ion plating System), 레이저 분자빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법 (Pulsed Laser Deposition), 저항 가열식 증착법(Thermal evaporation), 이온 어시스트 증착법(Ion-Assist Deposition) 중 선택되는 적어도 어느 하나의 방법으로 증착하여 코팅하는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극의 제조방법
7 7
태양전지의 후면전극에 있어서,제1항, 제2항 및 제4항 내지 제6항 중 선택되는 어느 한 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극
8 8
태양전지의 제조방법에 있어서,태양전지의 투명기판(100)을 준비하는 단계(s100);태양전지의 투명기판(100) 위에 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s200);후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s300);상기 광흡수층(300) 위에 CdS, ZnS, InOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s400);상기 버퍼층(400) 위에 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 투명전극층(500)을 형성하는 단계(s500);를 포함하며,상기 태양전지의 투명기판(100) 위에 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s200)에서의 상기 후면투명전극층(200)은 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 및 이들 중 2 이상의 물질의 산화물 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 후면투명전극층(200)은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 중 하나의 방법을 선택하여 증착되는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 태양전지의 투명기판(100) 위에 후면투명전극층(200)을 형성시키는 단계(s200)에서의 상기 투명기판(100)은 유리 또는 플라스틱 중 선택되는 하나의 재질로 구성된 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 8항에 있어서, 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s300)의 상기 광흡수층(300)은 CIGS(Cu(InGa)Se2), CdTs(Cadmium-Telluride), 결정질실리콘, 비결정질실리콘 중 선택된 하나 이상의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법
13 13
제 8항에 있어서, 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s300)는 CIGS계 전구체 화합물을 스핀코팅(Spin coating), 딥코팅(Dip coating), 스프레이코팅(Spray coating), 닥터블레이드코팅(Dr
14 14
제 8항에 있어서, 후면투명전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s300)는 CIGS계 전구체 화합물을 E-beam 증착법(Electron beam evaporation), 전자빔 이온 플레이팅(Electron Beam Ion plating), 스퍼터링(Suppertering), 스퍼터링 이온 플레이팅 시스템(Suppertering Ion plating System), 레이저 분자빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법 (Pulsed Laser Deposition), 저항 가열식 증착법(Thermal evaporation), 이온 어시스트 증착법(Ion-Assist Deposition) 중 선택되는 적어도 어느 하나의 방법으로 증착하여 코팅하는 것임을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지의 제조방법
15 15
기판과, 기판위에 형성되는 후면전극과, 후면전극위에 형성되는 광흡수층과, 광흡수층 위에 형성되는 버퍼층과, 버퍼층 위에 형성되는 투명전극층을 갖는 태양전지에 있어서, 제8항, 제9항 및 제12항 내지 제14항 중 선택되는 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 후면전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 후면전극을 이용한 태양전지
16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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20 20
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