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산화아연 요철구조의 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154036
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 습식식각의 방법으로 산화아연 박막에 나노단위의 요철구조를 형성하는 방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계; 나노미터 범위의 높이와 폭을 가지는 나노구조를 형성하는 단계; 상기 나노구조가 형성된 기판 위에 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막을 습식식각하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 습식식각하는 단계에서 상기 나노구조의 위에 위치하여 물리적 치밀성이 상대적으로 낮은 산화아연이 우선적으로 식각되어, 상기 나노구조의 주변으로 식각에 의한 요철구조가 형성되는 것을 특징으로 한다.본 발명은 요철구조의 위에 균일하게 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조의 사이에 전해질이나 유기물이 균일하게 침투할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명은 요철구조의 종횡비를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조가 전체적으로 연결되어 있기 때문에, 과도한 종횡비의 차이에 의해서 저항이 증가하는 문제가 발생하지 않는다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120022668 (2012.03.06)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1282291-0000 (2013.06.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전 유성구
3 안세진 대한민국 대전 유성구
4 곽지혜 대한민국 대전 서구
5 윤재호 대한민국 대전 중구
6 조아라 대한민국 서울 관악구
7 신기식 대한민국 대전 유성구
8 안승규 대한민국 대전 유성구
9 어영주 대한민국 대전 유성구
10 유진수 대한민국 서울 노원구
11 박상현 대한민국 대전 유성구
12 박주형 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0180726-12
2 등록결정서
Decision to grant
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0445904-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
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번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;나노미터 범위의 높이와 폭을 가지는 나노구조를 형성하는 단계;상기 나노구조가 형성된 기판 위에 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및상기 산화아연 박막을 습식식각하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 습식식각하는 단계에서 상기 나노구조의 위에 위치하여 물리적 치밀성이 상대적으로 낮은 산화아연이 우선적으로 식각되어, 상기 나노구조의 주변으로 식각에 의한 요철구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 나노구조를 형성하는 단계가 포토리소그래피에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 나노구조를 형성하는 단계가 물리적 기상증착법 또는 화학적 기상증착법에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 산화아연 박막을 형성하는 단계가 물리적증착법 또는 화학적증착법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 습식식각하는 단계 이후에, 상기 산화아연 박막이 식각되어 외부로 노출된 나노구조를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 나노구조를 형성하는 단계에 앞서서,상기 기판에 전도층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 나노구조를 형성하는 단계에 앞서서,상기 기판에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막에 요철구조를 형성하는 방법
8 8
청구항 1 내지 청구항 7 중에 하나의 방법으로 기판 위에 산화아연 요철구조를 형성하는 단계;상기 산화아연 요철구조 위에 다층의 박막반도체층을 형성하는 단계; 및상기 다층의 박막반도체층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
9 9
청구항 1 내지 청구항 7 중에 하나의 방법으로 기판 위에 산화아연 요철구조를 형성하여 반도체 전극을 형성하는 단계;상기 산화아연 요철구조에 흡착되고 태양광을 조사받아 여기된 전자를 반도체 전극에 전달하는 염료층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 전극에 대향하는 대향전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
10 10
청구항 1 내지 청구항 7 중에 하나의 방법으로 기판 위에 산화아연 요철구조를 형성하는 단계;상기 산화아연 요철구조의 위에 유기 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 유기 광활성층의 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104254925 CN 중국 FAMILY
2 US09159865 US 미국 FAMILY
3 US20140065760 US 미국 FAMILY
4 WO2013133491 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104254925 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104254925 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2014065760 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9159865 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2013133491 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 신재생에너지기술개발사업 유연금속기판을 이용한 적층형 실리콘 박막 태양전지 서브모듈 기술개발