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적층형 유동상 축전식 탈이온화장치

  • 기술번호 : KST2015154049
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유동상 축전식 탈이온장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 흐름양극, 전해질, 흐름음극층으로 구성되는 이온제거 장치의 스케일업 기술을 제공한다. 상기 장치는 단위셀을 적층화한 FCDi 구성시 적층수량과 무관하게 전극물질과 전해질은 각각 단일 입출구로 공급과 배출이 진행되고, 구성 플레이트에 존재하는 홀의 연결에 의하여 유통홀을 구성하는 컴팩트하게 모듈화된 단위셀의 구성을 가진다.
Int. CL C25B 9/00 (2006.01) B01D 61/42 (2006.01) C02F 1/469 (2006.01) C02F 1/461 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120002171 (2012.01.06)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1282794-0000 (2013.07.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종수 대한민국 대전 서구
2 김동국 대한민국 대전 유성구
3 황경란 대한민국 대전 서구
4 여정구 대한민국 대전광역시 중구
5 추고연 대한민국 대전 유성구
6 김태환 대한민국 대전 유성구
7 이춘부 대한민국 대전 유성구
8 전성일 대한민국 대전광역시 중구
9 박홍란 대한민국 대전광역시 유성구
10 정헌도 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0018152-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0007677-92
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0441549-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양극활물질이 이동하고 양극활물질공급로와 양극활물질전달로와 양극활물질배출로로 이루어지는 양극활물질유로와, 음극활물질이 이동하고 음극활물질공급로와 음극활물질전달로와 음극활물질배출로로 이루어지는 음극활물질유로와, 전해질이 이동하고 전해질공급로와 전해질전달로와 전해질배출로로 이루어지는 전해질유로를 가지고, 상기 양극활물질전달로와 상기 전해질전달로는 음이온분리막에 의해 접하고, 상기 음극활물질전달로와 상기 전해질전달로는 양이온분리막에 의해 접하며, 상기 양극활물질공급로와 상기 양극활물질배출로와 상기 음극활물질공급로와 음극활물질배출로와 전해질공급로와 전해질배출로는 서로 격리되는 하나 이상이 적층되는 단위셀;적층되는 단위셀의 최상측에 배치되는 상판; 및적층되는 단위셀의 최하측에 배치되는 하판을 포함하고,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 양극활물질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 양극관이 설치되며,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 음극활물질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 음극관이 설치되고,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 전해질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 전해질관이 설치되며,상기 양극활물질유로에는 양극단자가 연결되고, 상기 음극활물질유로에는 음극단자가 연결되는 적층형 유동상 축전식 탈이온화장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 단위셀은, 상측을 향해 노출되는 일측음극채널을 가지는 일측음극전달판과, 상기 일측음극전달판 위에 적층되는 양이온분리막과, 상기 양이온분리막에 적층되고 양측을 향해 노출되는 전해질채널을 가지는 전해질전달판과, 상기 전해질전달판 위에 적층되는 음이온분리막과, 상기 음이온분리막 위에 적층되고 하측을 향해 노출되는 일측양극채널을 가지는 일측양극전달판을 가지고,상기 일측음극전달판과 상기 양이온분리막과 상기 전해질전달판과 상기 음이온분리막과 상기 일측양근전달판은 각각 제1양극홀, 제2양극홀, 제1음극홀, 제2음극홀, 제1전해질홀, 제2전해질홀이 서로 격리되도록 형성되고, 상기 제1양극홀과 상기 제2양극홀은 상기 일측양극채널에 의해 연통되고, 상기 제1음극홀과 상기 제2음극홀은 상기 일측음극채널에 의해 연통되며, 상기 제1전해질홀과 상기 제2전해질홀은 전해질채널에 의해 연통되며,상기 제1양극홀 또는 상기 제2양극홀 중 어느 하나에는 상기 양극단자가 전기적으로 연결되며,상기 제1음극홀 또는 상기 제2음극홀 중 어느 하나에는 음극단자가 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 유동상 축전식 탈이온화장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 단위셀은, 양측을 향해 노출되는 양측양극채널을 가지는 양측양극전달판과, 상기 양측양극전달판 아래에 부착되는 음이온분리막과, 상기 음이온분리막 아래에 부착되고 양측을 향해 노출되는 전해질채널을 가지는 전해질전달판과, 상기 전해질전달판 아래에 부착되는 양이온분리막과, 상기 양이온분리막 아래에 부착되고 양측을 향해 노출되는 양측음극채널을 가지는 양측음극전달판과, 상기 양측음극전달판 아래에 배치되는 양이온분리막과, 상기 양이온분리막 아래에 부착되고 양측을 향해 노출되는 전해질채널을 가지는 전해질전달판과, 상기 전해질전달판 아래에 배치되는 음이온 분리막을 가지고,상기 일측음극전달판과 상기 양이온분리막과 상기 전해질전달판과 상기 음이온분리막과 상기 일측양근전달판은 각각 제1양극홀, 제2양극홀, 제1음극홀, 제2음극홀, 제1전해질홀, 제2전해질홀이 서로 격리되도록 형성되고, 상기 제1양극홀과 상기 제2양극홀은 상기 일측양극채널에 의해 연통되고, 상기 제1음극홀과 상기 제2음극홀은 상기 일측음극채널에 의해 연통되며, 상기 제1전해질홀과 상기 제2전해질홀은 전해질채널에 의해 연통되며,상기 제1양극홀 또는 상기 제2양극홀 중 어느 하나에는 양극단자와 전기적으로 연결되며,상기 제1음극홀 또는 상기 제2음극홀 중 어느 하나에는 음극단자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 적층형 유동상 축전식 탈이온화장치
4 4
상측을 향해 노출되는 일측음극채널을 가지는 일측음극전달판과, 상기 일측음극전달판 위에 적층되는 양이온분리막과, 상기 양이온분리막에 적층되고 양측을 향해 노출되는 전해질채널을 가지는 전해질전달판과, 상기 전해질전달판 위에 적층되는 음이온분리막과, 상기 음이온분리막 위에 적층되고 하측을 향해 노출되는 일측양극채널을 가지는 일측양극전달판을 가지고 하나 이상이 적층되는 단위셀;적층되는 단위셀의 최상측에 배치되는 상판; 및적층되는 단위셀의 최하측에 배치되는 하판을 포함하고,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 양극활물질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 양극관이 설치되며,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 음극활물질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 음극관이 설치되고,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 전해질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 전해질관이 설치되며,상기 일측음극전달판과 상기 양이온분리막과 상기 전해질전달판과 상기 음이온분리막과 상기 일측양근전달판은 각각 제1양극홀, 제2양극홀, 제1음극홀, 제2음극홀, 제1전해질홀, 제2전해질홀이 서로 격리되도록 형성되고, 상기 제1양극홀과 상기 제2양극홀은 상기 일측양극채널에 의해 연통되고, 상기 제1음극홀과 상기 제2음극홀은 상기 일측음극채널에 의해 연통되며, 상기 제1전해질홀과 상기 제2전해질홀은 전해질채널에 의해 연통되고,상기 제1양극홀 또는 상기 제2양극홀 중 어느 하나에는 양극단자와 전기적으로 연결되며,상기 제1음극홀 또는 상기 제2음극홀 중 어느 하나에는 음극단자와 전기적으로 연결되는 적층형 유동상 축전식 탈이온화장치
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양측을 향해 노출되는 양측양극채널을 가지는 양측양극전달판과, 상기 양측양극전달판 아래에 부착되는 음이온분리막과, 상기 음이온분리막 아래에 부착되고 양측을 향해 노출되는 전해질채널을 가지는 전해질전달판과, 상기 전해질전달판 아래에 부착되는 양이온분리막과, 상기 양이온분리막 아래에 부착되고 양측을 향해 노출되는 양측음극채널을 가지는 양측음극전달판과, 상기 양측음극전달판 아래에 배치되는 양이온분리막과, 상기 양이온분리막 아래에 부착되고 양측을 향해 노출되는 전해질채널을 가지는 전해질전달판과, 상기 전해질전달판 아래에 배치되는 음이온 분리막을 가지고 하나 이상이 적층되는 단위셀;적층되는 단위셀의 최상측에 배치되는 상판; 및적층되는 단위셀의 최하측에 배치되는 하판을 포함하고,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 양극활물질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 양극관이 설치되며,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 음극활물질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 음극관이 설치되고,상기 상판과 상기 하판 중 어느 일방 또는 양방에는 전해질유로의 양단에 각각 연결되는 한쌍의 전해질관이 설치되며,상기 일측음극전달판과 상기 양이온분리막과 상기 전해질전달판과 상기 음이온분리막과 상기 일측양근전달판은 각각 제1양극홀, 제2양극홀, 제1음극홀, 제2음극홀, 제1전해질홀, 제2전해질홀이 서로 격리되도록 형성되고, 상기 제1양극홀과 상기 제2양극홀은 상기 일측양극채널에 의해 연통되고, 상기 제1음극홀과 상기 제2음극홀은 상기 일측음극채널에 의해 연통되며, 상기 제1전해질홀과 상기 제2전해질홀은 전해질채널에 의해 연통되고,상기 제1양극홀 또는 상기 제2양극홀 중 어느 하나에는 양극단자와 전기적으로 연결되며,상기 제1음극홀 또는 상기 제2음극홀 중 어느 하나에는 음극단자와 전기적으로 연결되는 적층형 유동상 축전식 탈이온화장치
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