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고효율 및 고내구성을 갖는 태양전지용 반사방지막, 이를 포함하는 태양전지 및 그 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015154054
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 반사방지막, 이를 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘계 태양전지에 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막층을 형성하고, 반사방지막으로 활용함으로써, 자외선 차단에 의한 태양전지 셀의 내구성을 향상시킬 수 있도록 하고, 형광체 박막층에서 발산하는 550 ~ 650nm 파장의 빛에 의해서 태양전지 효율이 더 증대될 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020110023491 (2011.03.16)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1133252-0000 (2012.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진석 대한민국 대전광역시 중구
2 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
3 김준수 대한민국 대전광역시 유성구
4 안영수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0192311-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021094-78
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0178217-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 수광부 상부에 형성되며, AlN계 투명 형광체 박막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막
2 2
제1항에 있어서,상기 AlN계 투명 형광체 박막층은Mn이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막
3 3
제1항에 있어서,상기 AlN계 투명 형광체 박막층은가시광 영역의 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막
4 4
제1항에 있어서,상기 AlN계 투명 형광체 박막층의 Mn 농도는 0
5 5
제1 도전 타입의 베이스 실리콘 기판;상기 베이스 실리콘 기판 상부에 형성되며, 상기 제1 도전 타입과 반대되는 제2 도전 타입의 실리콘 에미터층; 및상기 실리콘 에미터층 상부에 형성되며, AlN계 투명 형광체 박막층으로 형성된 반사방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 AlN계 투명 형광체 박막층은Mn이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제5항에 있어서,상기 AlN계 투명 형광체 박막층은가시광 영역의 발광 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제5항에 있어서,상기 태양전지는상기 반사방지막을 관통하여 상기 실리콘 에미터층과 접속되는 상부전극; 및상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 접속되는 하부전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
태양전지의 수광부 상부에 형성되는 AlN계 투명 형광체 박막층을 포함하되,상기 AlN계 투명 형광체 박막층은Mn, Cr, Cu, Si, Eu, Er, Ce, Mg, Gd 및 Ho 중 하나 이상이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지용 반사방지막
10 10
제1 도전 타입의 베이스 실리콘 기판 상부에 상기 제1 도전 타입과 반대되는 제2 도전 타입의 실리콘 에미터층을 형성하는 단계;상기 실리콘 에미터층 상부에 Mn이 도핑된 AlN계 투명 형광체 박막을 증착하여 반사방지막을 형성하는 단계;상기 반사방지막을 관통하여 상기 실리콘 에미터층과 접속되는 상부전극을 형성하는 단계; 및상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 접속되는 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 베이스 실리콘 기판의 표면 및 상기 실리콘 에미터층의 표면 중 하나 이상에 텍스쳐링(Texturing) 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
12 12
제10항에 있어서,상기 반사방지막 형성 단계는CVD 또는 PVD 방법을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 CVD 방법은PECVD(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 및 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.