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커패시터용 전극물질; 및상기 전극물질의 표면에 형성된 ZnOHF 코팅층;을 포함하는 표면개질된 커패시터 전극물질
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청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층은 전체 중량 중 0
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청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층은 상기 전극물질의 중량을 기준으로 0
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청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층은 상기 전극물질 1몰(mol)당 0
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청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층의 두께는 1 내지 1000nm인 표면개질된 커패시터 전극물질
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청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층은 상기 전극물질 표면 전체를 감싸도록 형성되는 표면개질된 커패시터 전극물질
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7
청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층은 상기 전극물질 표면에 부분적으로 다수개가 형성되는 표면개질된 커패시터 전극물질
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8
청구항 1에 있어서,상기 ZnOHF 코팅층이 형성된 면적은 상기 전극물질 전체 표면적 중 0
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아연 출발물질이 용해된 용액과 전극물질을 혼합시켜 제1 혼합물을 제조하는 단계;상기 제1 혼합물에 표면 개질물질의 소스인 불소 출발물질을 첨가하여 제2 혼합물을 제조하는 단계;상기 전극물질 표면에 코팅층을 형성시키기 위하여 상기 제2 혼합물을 일정 온도로 유지시키는 에이징(aging) 처리하는 단계; 및상기 제2 혼합물로부터 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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10
청구항 9에 있어서,상기 용매를 제거하는 단계 이후에,상기 전극물질 표면에 상기 코팅층을 고착시키기 위하여 일정 온도에서 일정 시간동안 열처리를 더 실시하는, 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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11
청구항 9에 있어서,상기 아연 출발물질은 아연금속 또는 아연금속을 포함하는 무기염을 질산, 황산, 불산, 염산, 아세트산 중 선택된 하나의 용매에 용해시킨 용액인 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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12
청구항 11에 있어서,상기 무기염은 아연금속을 포함하는 질화물 또는 무수질화물, 아연금속을 포함하는 황화물 또는 무수황화물, 아연금속을 포함하는 불화물 또는 무수불화물, 아연금속을 포함하는 염화물 또는 무수염화물, 아연금속을 포함하는 아세트화물 또는 무수아세트화물, 아연금속을 포함하는 산화물 또는 무수산화물 중 선택된 하나의 물질인 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 불소 출발물질은 불산, 불산 수용액, 불화암모늄, 불화암모늄 수용액, 무수불화암모늄, 및 무수불화암모늄 수용액 중 선택된 하나의 물질인 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 제1 혼합물을 제조하는 단계, 상기 제2 혼합물을 제조하는 단계, 및 에이징(aging) 처리하는 단계 중 적어도 하나의 단계에서는연속적으로 교반이 이루어지는 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 제2 혼합물을 제조하는 단계, 및 에이징(aging) 처리하는 단계 중 적어도 하나의 단계에서는상기 전극물질과 상기 표면 개질물질의 접합을 촉진시키기 위하여 에탄올, 아세톤, 킬레이팅화제 중 적어도 하나가 선택된 반응촉진제를 첨가시키는 단계;를 더 포함하는 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 에이징(aging) 처리하는 단계는상기 제2 혼합물을 20 내지 100 ℃에서 0 내지 1200 분(min
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청구항 9에 있어서,상기 에이징(aging) 처리하는 단계는상기 제2 혼합물을 30 내지 80 ℃에서 1 내지 600 분(min
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청구항 9에 있어서,상기 용매를 제거하는 단계는증발, 여과, 건조 중 적어도 하나 이상의 방법을 선택적으로 조합하여 실시하는 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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청구항 18에 있어서,상기 건조는 온풍로 또는 진공오븐에서 실시하는 표면개질된 커패시터 전극물질 제조 방법
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상기 청구항 9 내지 19 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 표면개질된 커패시터 전극물질을 포함하는 전극
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상기 청구항 9 내지 19 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 표면개질된 커패시터 전극물질을 포함하는 커패시터
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