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하부순환식3단여과막충진형속성메탄발효방법

  • 기술번호 : KST2015154069
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반응기 내부에 1차 유동층, 1차 여과막, 1차 경사형 충진제를 통과하면서 산 생성과정을 거친 다음, 2차 여과막, 2차 경사형 충진제, 2차 유동층을 거쳐, 3차 여과막 및 3차 유동층을 거침으로써, 메탄 생성과정은 많은 표면적을 갖는 미생물반응을 하게되어 안정된 혐기성반응을 할 수 있게 하는 하부 순환식 3단 여과막 충진형 속성메탄발효방법에 관한 것이다.제1단계 여과막(7), 제1경사형 충진제(10), 제2단계 여과막(8), 제2경사형 충진제(11)를 거친 다음 유속을 절반으로 떨어트려 제3단계 여과막(9)을 통과하면서 액체의 편류현상을 방지하고 미생물 그래뉴얼을 반응기내에 체류케 하는 것이다.
Int. CL C02F 3/28 (2006.01.01) C02F 11/04 (2006.01.01) C12P 5/02 (2006.01.01)
CPC C02F 3/2826(2013.01) C02F 3/2826(2013.01) C02F 3/2826(2013.01)
출원번호/일자 1019970058361 (1997.10.29)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0257846-0000 (2000.03.06)
공개번호/일자 10-1998-0002270 (1998.03.30) 문서열기
공고번호/일자 (20000601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍종준 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용효 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, ***동 ***호 (둔산동, 변호사회관)(김용효특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.10.29 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184294-40
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184297-87
3 조기출원공개신청서
Request for Laying Open of Early Application		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184295-96
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1997-0184296-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.11 수리 (Accepted) 4-1-1999-0032983-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.12 수리 (Accepted) 4-1-1999-0045776-91
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.17 수리 (Accepted) 4-1-1999-0048039-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.29 수리 (Accepted) 4-1-1999-0076759-30
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0280509-17
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.10.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5372350-27
11 의견서
Written Opinion		 1999.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5372349-81
12 등록사정서
Decision to grant		 2000.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0002644-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2000-0069673-86
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2001-0004982-67
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2002-0076226-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

순환펌프(12)에 의해 혼합투입되는 용액이 하측의 용액분산판(5)을 거치면서 제1유동층(15)에서 분산균체와 균일하게 접촉되어 제1단계 여과막(7)과 제1경사형 충진제(10) 및 제2단계 여과막(8)과 제2경사형 충진제(11)를 거쳐 제2유동층(16)으로 유입되고, 상기 제2유동층(16)에서는 유속이 절반으로 떨어지면서 정체시간이 2배로 증가하여 혐기성균에 의한 메탄 생성반응을 1단계 안정화시키며, 제3단계 여과막(9)을 거치면서 입자가 큰 그래뉴얼은 자연적으로 제2유동층(16)에서 부유하게 되고 미세한 그래뉴얼은 제3유동층(17)에서 부유하면서 잔유유기물의 메탄 생성반응을 더욱 안정화시켜 유기물의 고농도 부하변동시에도 반응계의 붕괴없이 원만한 반응을 촉진시키는 것을 특징으로 하는 하부 순환식 3단 여과막 충진형 속성 메탄발효방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.