| 1 |
1
기판 상에 공유결합구조를 갖는 셀레나이드(selenide)계 화합물을 포함하는 Cu-In-Ga-Se 전구체 박막을 형성하는 단계(a); 및상기 단계(a)에서 형성된 전구체 박막을 셀렌화(selenization) 열처리하는 단계(b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 전구체 박막의 형성 방법이 스퍼터링법 또는 열증발에 의한 증착인 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 스퍼터링법이 셀레늄이 포함되는 타겟을 적어도 하나 포함되도록 조합하여 수행하는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서,상기 타겟 조합이 Cu-Se, In-Se, Ga-Se 타겟 조합, Cu-Se, In-Se, Cu-Ga 타겟 조합, Cu, In-Se, Ga-Se 타겟 조합, Cu-Se, In, Cu-Ga 타겟 조합 및 Cu-In-Se, Cu-Ga 타겟 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 3에 있어서,상기 스퍼터링법은, 각 조합의 타겟을 동시 스퍼터링(co-sputtering) 또는 시간차를 두고 차례로 수행하는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 2에 있어서,상기 스퍼터링법이 Cu, In, Ga, Se을 각각 타겟으로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 셀렌화 열처리가 Se 증기 또는 H2Se 기체의 Se 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 셀렌화 열처리는, 상기 기판의 온도가 400 내지 530 ℃ 인 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 7에 있어서,상기 셀렌화 열처리가 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 전구체 박막의 Se의 원자비(Se/(Cu + In + Ga))가 0
|
| 11 |
11
청구항 3에 있어서, 상기 타겟으로서 CuSe, In, CuGa 타겟을 사용하는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 3에 있어서, 상기 타겟으로서 CuSe, In2Se3, CuGa 타겟을 사용하는 것을 특징으로 하는 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막 제조방법
|
| 13 |
13
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 균일한 Ga 분포를 갖는 CIGS 박막
|
