맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전해정련법에 의한 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154199
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저순도 금속급 실리콘의 전해정련시 전해질의 온도를 800℃ 미만으로 유지시키고, 전해질 내에서 실질적인 실리콘 전구체로 작용하는 실리콘 할로겐 화합물의 함량을 특정 범위로 조절하여 고순도 실리콘 나노섬유를 제조하는 방법이다. 본 발명에 따른 전해정련법에 의한 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법은 용융염의 유동 및 온도를 조절하여 실리콘 이온의 전달속도를 제어함으로써 음극 표면에서 실리콘 결정의 일방향 성장을 유도하고 나노미터 직경의 실리콘 섬유를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 고순도 실리콘 나노섬유의 제조방법을 사용하는 경우 순도 2N 수준의 저순도 금속급 실리콘(metallurgical Grade Silicon: 99%)으로부터 경제적이고 환경친화적인 전해정련법을 이용하여 순도가 4N(99.99%)에 가깝거나 그 이상인 고순도 실리콘을 얻을 수 있으며, 태양전지 산업 등에 저가형 고순도 실리콘 원료의 공급이 가능하다.
Int. CL C01B 33/033 (2006.01) C01B 33/021 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01)
출원번호/일자 1020110126849 (2011.11.30)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1336712-0000 (2013.11.28)
공개번호/일자 10-2013-0060664 (2013.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20131204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.30)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
2 류홍열 대한민국 대전광역시 유성구
3 하이크 넬싯얀 아르메니아 대전광역시 유성구
4 한문희 대한민국 대전 서구
5 이진석 대한민국 대전광역시 중구
6 장보윤 대한민국 대전 유성구
7 안영수 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0952161-22
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0116201-78
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0982271-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0045144-59
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0430735-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0614655-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0614658-42
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802350-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전해질이 수용된 전해조 내에 순도가 99
2 2
제 1항에 있어서, 상기 용융염은 알칼리금속 할로겐 화합물 또는 알칼리토금속 할로겐 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 용융염은 공융물인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 용융염은 KF-LiF, LiCl-KCl, KCl-KF, 및 KCl-LiF로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 공융물로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 할로겐 화합물은 알칼리금속의 실리콘 할로겐 화합물 또는 알칼리토금속의 실리콘 할로겐 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 실리콘 할로겐 화합물은 K2SiF6, Na2SiF6, Cs2SiF6, 및 MgSiF6로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 금속급 실리콘은 실리콘 잉곳 형태인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 금속급 실리콘은 실리콘 스크랩(scrap) 또는 실리콘 과립(granule) 형태인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 금속급 실리콘은 실리콘보다 산화환원 전위가 적어도 0
10 10
제 9항에 있어서, 상기 양극 바스켓을 형성하는 재료는 Mo, Ni, W, 및 Pd로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 음극은 은으로 이루어진 플레이트 형태인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
12 12
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해정련시 음극에 인가되는 전압은 백금 기준전극 대비 -0
13 13
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해정련시 음극에서의 전류밀도는 1~100 ㎃/㎠인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
14 14
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해정련시 전해조 내의 전체 전해질은 물리적으로 교반되지 않으며, 국부적으로 온도차가 10℃ 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
15 15
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전해정련 시간은 1~20 hr인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노섬유의 제조방법
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.