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휘발성이 우수한 고순도 ＳＩＯｘ나노 분말 제조 방법 및 그 제조 장치

  • 기술번호 : KST2015154202
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 용탕의 표면에 분사 가스를 분사하여 SiOx 나노 분말을 대량으로 생산할 수 있는 휘발성이 우수한 고순도 SiOx 나노 분말 제조 방법 및 그 제조 장치에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 SiOx 나노 분말 제조 장치는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부에 장착되며, 실리콘이 장입되는 흑연 도가니; 상기 흑연 도가니에 장입된 실리콘을 유도 가열하여 실리콘 용탕을 형성시키는 유도 용융부; 상기 흑연 도가니의 내부에서 상기 실리콘 용탕의 표면과 직접 접촉되도록 분사 가스를 분사하는 가스 분사부; 및 상기 흑연 도가니와 이격된 상부에 배치되며, 상기 실리콘 용탕과 상기 분사 가스와의 반응에 의하여 휘발되는 SiOx 증기를 포집하는 포집부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 33/113 (2006.01) B01J 19/26 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110030414 (2011.04.01)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1081864-0000 (2011.11.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.01)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진석 대한민국 대전광역시 중구
3 김준수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0241305-23
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0244482-11
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0266153-10
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2011.04.27 수리 (Accepted) 9-1-2011-0037465-98
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0481157-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0706136-32
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0706138-23
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0642825-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부에 장착되며, 실리콘이 장입되는 흑연 도가니; 상기 흑연 도가니에 장입된 실리콘을 유도 가열하여 실리콘 용탕을 형성시키는 유도 용융부; 상기 흑연 도가니의 내부에서 상기 실리콘 용탕의 표면과 직접 접촉되도록 분사 가스를 분사하는 가스 분사부; 및 상기 흑연 도가니와 이격된 상부에 배치되며, 상기 실리콘 용탕과 상기 분사 가스와의 반응에 의하여 휘발되는 SiOx 증기를 포집하는 포집부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 흑연 도가니는 상측이 개방되는 원통 구조로 이루어지며, 벽면의 일부를 절개하는 복수의 슬릿을 구비하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 유도 용융부는 상기 흑연 도가니의 외측을 둘러싸는 내화물 도가니와, 상기 흑연 도가니의 외주면을 따라 감기는 유도 코일;을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 유도 코일은 상기 내화물 도가니의 벽면에 내장되는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
5 5
제3항에 있어서,상기 유도 코일에는 10kHz 이하의 교류 전류가 인가되는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 가스 분사부는 상기 분사 가스를 공급받는 가스 공급관과, 상기 가스 공급관의 단부에 장착되어 상기 흑연 도가니의 내부에 배치되는 분사 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 분사 가스는 Ar, H2, O2 및 H2O 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 포집부는 상기 SiOx 입자에 대하여 탄소 코팅을 실시하기 위한 코팅 가스 분사 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치
9 9
흑연 도가니에 실리콘을 장입하는 실리콘 장입 단계; 상기 흑연 도가니에 장입된 실리콘을 유도 가열하여 실리콘 용탕을 형성하는 유도 용융 단계; 상기 실리콘 용탕의 표면과 직접 접촉되도록 분사 가스를 분사하는 가스 분사 단계; 및 상기 실리콘 용탕과 상기 분사 가스와의 반응에 의하여 휘발되는 SiOx 증기를 냉각 및 응축시켜 SiOx 입자를 포집하는 포집 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 분사 가스로는 Ar, H2, O2 및 H2O 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 유도 용융 단계시, 상기 흑연 도가니의 외주면을 둘러싸는 유도 코일에 10kHz 이하의 교류 전류를 인가하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 포집 단계에서, 상기 SiOx 증기에 대하여 코팅 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 코팅 가스는 Ar, H2, CH4, C2H6, C3H8, C4H10, C5H12 및 C6H14 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 방법
14 14
삭제
15 15
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05492854 JP 일본 FAMILY
2 JP24214353 JP 일본 FAMILY
3 US10541407 US 미국 FAMILY
4 US20120251710 US 미국 FAMILY
5 US20130323594 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2012214353 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5492854 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US10541407 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2012251710 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2013323594 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포스코 켐텍 지식경제 기술혁신사업 에너지저장용 고효율 125Wh/US$급 리튬이차전지 음극소재 개발