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직류 전압을 공급하는 DC 전원부;상기 DC 전원부로부터 직류 전압을 입력받아 캐패시터를 통해 충전하고, 그 충전 전압이 설정된 전압을 초과하는 경우에 초기 인버터 구동을 위한 시동 전압을 출력하는 시동회로부;상기 시동회로부로부터 공급되는 시동 전압을 입력받아 구동되고, 초기 인버터 구동을 위한 구동신호를 출력하는 제 1 및 제 2 구동회로부;반도체 스위치인 MOSFET Q2와 Q8로 연결 구성되어 고속 스위칭 기능을 수행하는 한편, 상기 제 1 및 제 2 구동회로부로부터 입력되는 구동신호에 의해 동작되어 상기 DC 전원부로부터 공급되는 직류 전원을 램프 구동에 필요한 고주파수의 구형파로 출력하는 인버터부;인덕터로 작용하는 트랜스포머(T4)의 1차측과 캐패시터(C11, C12)로 구성된 LCC형으로, 상기 인버터부의 동작에 따라 전류가 흐르게 되며 고주파수의 구형파 전원을 입력받아 정현파에 가까운 고주파수의 교류 전압으로 변환시켜 출력하는 공진필터회로부;상기 공진필터회로부로부터 정현파에 가까운 고주파수의 교류 전원을 입력받아 구동되는 무전극 램프;상기 공진필터회로부의 전류를 감지하고, 그 감지된 전류를 피이드백 하여 자려발진의 구동신호를 상기 제 1 및 제 2 구동회로부에 출력하는 트랜스포머(T3);상기 무전극 램프와의 커넥터 접촉을 통해 램프의 연결상태를 감지하고, 그에 따른 구동 동작을 수행하는 램프연결상태 감지회로부; 및상기 공진필터회로부의 트랜스포머(T4) 2차측으로부터 전압을 측정하고, 그 측정된 트랜스포머(T4) 2차측 전압이 순간적으로 한계치를 넘는 과전압이 걸리는 경우 상기 시동회로부와 제 2 구동회로부의 접지를 통한 회로의 동작을 중지시키는 보호회로부로 구성된 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 시동회로부는, DC 전원부의 (+)단자에 저항(R16)이 접속되고, 그 저항(R16)의 다른 일측에 저항(R20)과 캐패시터(C13)와 다이액(Diac1)이 병렬 접속되며, 저항(R20)의 다른 일측에 다이오드(D9)의 애노드가 직렬 접속되고, 그 다이오드(D9)의 캐소드는 트랜스포머(T3)의 이차측에 접속되며, 캐패시터(C13)의 다른 일측이 그라운드 접지되고, 다이액(Diac1)의 다른 일측이 트랜스포머(T3)의 다른 이차측과 제 2 구동회로부의 저항(R21)에 병렬 접속되는 연결구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 제 1 구동회로부는, 상기 트랜스포머(T3)의 이차측 하나의 출력에 저항(R17)이 접속되고, 그 저항(R17)의 다른 일측에 서로 반대인 방향으로 직렬로 연결된 두 개의 제너다이오드(D5,D6)중 하나의 캐소드와 접속되며, 상기 제너다이오드(D5)의 캐소드와 접속된 저항(R17)의 일측으로 PNP형의 트랜지스터(Q3)와 NPN형의 트랜지스터(Q4)의 베이스가 병렬 접속되고, 그 트랜지스터(Q3, Q4)의 이미터가 상기 인버터부내 MOSFET(Q2)의 게이트와 접속되며, 상기 PNP형의 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 다이오드(D7)의 애노드가 접속되고, 상기 NPN형의 트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 다이오드(D8)의 캐소드가 접속되며, 상기 제너다이오드(D6)의 캐소드와 다이오드(D7)의 캐소드와 다이오드(D8)의 애노드가 상기 인버터부의 MOSFET(Q2)의 소스 단자에 연결된 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 제 2 구동회로부는, 상기 트랜스포머(T3)의 또 다른 이차측 하나의 출력에 저항(R21)이 접속되고, 그 저항(R21)의 다른 일측에 서로 반대인 방향으로 직렬로 연결된 두 개의 제너다이오드(D10,D11)중 하나의 캐소드와 접속되며, 상기 제너다이오드(D10)의 캐소드와 접속된 저항(R21)의 일측으로 PNP형의 트랜지스터(Q5)와 NPN형의 트랜지스터(Q6)의 베이스가 병렬 접속되고, 그 트랜지스터(Q5, Q6)의 이미터가 상기 인버터부내 MOSFET(Q8)의 게이트와 접속되며, 상기 PNP형의 트랜지스터(Q5)의 콜렉터에 다이오드(D12)의 애노드가 접속되고, 상기 NPN형의 트랜지스터(Q6)의 콜렉터에 다이오드(D13)의 캐소드가 접속되며, 상기 제너다이오드(D11)의 캐소드와 다이오드(D12)의 캐소드와 다이오드(D13)의 애노드가 상기 인버터부의 MOSFET(Q8)의 소스 단자에 접속되고, 상기 저항(R21)과 제너다이오드(D10)의 캐소드 사이에 다이오드(D15)의 애노드가 병렬 접속되고, 그 다이오드(D15)의 캐소드가 상기 보호회로부에 접속되는 연결 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 인버터부의 반도체 스위치인 MOSFET Q2, Q8은 주파수가 100KHz 이상에서 동작되는 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 트랜스포머(T3)는 페라이트 코아를 사용하며, 비포화 영역에서는 동작시키지 않음을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 무전극 램프는, 램프관의 등가저항 Rlamp와, 무전극 램프에 에너지를 전달하기 위한 수단으로 장착된 마그네트 코아의 회로인 인덕턴스 Llamp가 병렬로 연결 구성되는 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 무전극 램프는, 전원회로와의 연결을 위한 커넥터를 구성함에 있어 (+)단자와 (-)단자와 램프연결 감지를 위한 no-load 단자를 포함한 3핀의 커넥터를 구성하되, 상기 (-)단자와 no-load 단자를 쇼트시키는 연결구조로 구성함을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항 또는 제 8항에 있어서,상기 램프연결상태 감지회로부는, 상기 무전극 램프의 no-load 단자와 접속하여 램프의 연결상태를 감지하는 no-load 단자를 포함하고, 그 일측으로 저항(R22)과 트랜지스터(Q7)의 베이스에 병렬 접속되며, 상기 저항(R22)의 다른 일측 단자와 트랜지스터(Q7)의 콜렉터는 상기 시동회로부에 접속되고, 트랜지스터(Q7)의 이미터는 그라운드 접지된 연결구조로 구성됨을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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제 1항에 있어서,상기 보호회로부는, 상기 공진필터회로부내 트랜스포머(T4)의 양단간의 전압을 이차측을 통해 감지하고, 그 감지된 신호를 정류하는 풀브리지 형태의 다이오드(D20, D21, D25, D26)로 연결 구성되고, 그 풀브리지 형태의 다이오드(D20, D21, D25, D26) 양단으로 정류된 직류 전압을 저장하는 캐패시터(C15)가 접속되며, 그 캐패시터(C15)의 일측에 저항(R25)과 제너다이오드(D19)의 캐소드와 그라운드 접지된 저항(R26)이 병렬 접속되고, 상기 저항(R25)의 다른 일측에 그라운드 접지된 캐패시터(C19)와 제너다이오드(D24)의 캐소드가 병렬 접속되며, 상기 제너다이오드(D19)의 애노드에 그라운드 접지된 저항(R32)이 직렬 접속되고, 상기 제너다이오드(D24)의 애노드에 그라운드 접지된 캐패시터(C18)와 SCR(Q10)의 게이트가 병렬 접속되며, 그 SCR(Q10)의 캐소드는 그라운드 접지되고, SCR(Q10)의 애노드는 다이오드(D14)의 캐소드와 상기 제 2 구동회로부내 다이오드(D15)의 캐소드와 병렬 접속된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 무전극 램프 자려식 전원회로
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