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반도체 나노입자를 포함하는 광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154253
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노미터 크기의 기공들이 규칙적으로 배열되어 넓은 비표면적을 가지는 다공성 무기물지지체, 상기 지지체의 기공내부에 함유되어진 반도체 나노입자를 포함하는 광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/12 (2006.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020040054110 (2004.07.12)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-0644882-0000 (2006.11.03)
공개번호/일자 10-2006-0005217 (2006.01.17) 문서열기
공고번호/일자 (20061115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고창현 대한민국 대전광역시 서구
2 김종남 대한민국 대전광역시 유성구
3 범희태 대한민국 대전광역시 유성구
4 한상섭 대한민국 대전광역시 유성구
5 조순행 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)아크웨이브솔루션스코리아 서울특별시 구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0307578-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.12.22 수리 (Accepted) 4-1-2004-5107350-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0012476-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0119904-62
6 의견서
Written Opinion
2006.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0306915-59
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.05.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0306914-14
8 등록결정서
Decision to grant
2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0498392-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0317289-47
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노미터 크기의 기공들이 규칙적으로 배열되어 넓은 비표면적을 가지는 다공성 무기물 지지체, 상기 지지체의 기공 내부에 함유되어진 반도체 나노입자, 및 상기 지지체의 상면 및 하면에 각각 부착된 한쌍의 전극을 포함하는 광소자
2 2
제 1항에 있어서, 반도체 나노입자는 2종이상의 서로 다른 반도체 나노입자를 포함함을 특징으로 하는 광소자
3 3
제 1항에 있어서, 지지체는 실리콘 산화물, 금속산화물 또는 이들의 복합물로 구성되어짐을 특징으로 하는 광소자
4 4
제 1항에 있어서, 기공의 크기는 1∼50nm 인 것을 특징으로 하는 광소자
5 5
제 1항에 있어서, 기공의 구조는 1차원, 2차원 또는 3차원의 구조임을 특징으로 하는 광소자
6 6
반도체 나노입자를 포함하는 광소자의 제조방법에 있어서, 전극 표면에 나노미터 크기의 기공들이 규칙적으로 배열되어 넓은 비표면적을 가지는 다공성 무기물 지지체의 박막을 형성하는 단계; 상기 지지체의 기공내부에 반도체 나노입자를 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 광소자의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 반도체 나노입자의 형성은 ALD 또는 CVD 방법에 의해 수행되어짐을 특징으로 하는 광소자의 제조방법
8 8
반도체 나노입자를 포함하는 광소자의 제조방법에 있어서, 전극 표면에 나노미터 크기의 기공들이 규칙적으로 배열되어 넓은 비표면적을 가지는 다공성 무기물 지지체의 박막을 형성하는 단계; 상기 지지체 박막의 기공내부에 반도체 나노입자를 삽입하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 광소자의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 반도체 나노입자의 삽입은 초음파처리에 의해 수행되어짐을 특징으로 하는 제조방법
10 10
제 1항의 광소자를 포함하는 엘이디
11 11
제 1항의 광소자를 포함하는 형광체
12 12
제 1항의 광소자를 포함하는 광볼타전지
13 12
제 1항의 광소자를 포함하는 광볼타전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.