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이중구조의 투명전도막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154263
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적 특성과 광포획 능력이 모두 뛰어난 투명전도막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 이중구조 투명전도성막은, 태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막으로서, 광투과층과; 일면은 상기 광투과층에 접하고, 타면에는 표면 텍스처 구조가 형성된 광포획층으로 구성되며, 상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것을 특징으로 한다.본 발명의 다른 형태에 의한 이중구조 투명전도막의 제조방법은 태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막을 제조하는 방법으로서, 기판에 광투과층을 형성하는 단계; 상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계; 및 상기 광포획층의 표면을 에칭하여 표면 텍스처 구조를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110098571 (2011.09.28)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1178496-0000 (2012.08.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.28)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
2 박상현 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 서구
4 박주형 대한민국 대전광역시 유성구
5 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
6 유진수 대한민국 대전광역시 중구
7 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0759429-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066169-92
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0492895-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막으로서,광투과층과;일면은 상기 광투과층에 접하고, 타면에는 표면 텍스처 구조가 형성된 광포획층으로 구성되며,상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
2 2
청구항 1에 있어서,상기 광포획층의 표면 텍스처 구조가 형성된 면의 표면거칠기가 50nm 이상인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
3 3
청구항 2에 있어서,상기 광포획층이 증착온도 300℃ 미만에서 증착된 ZnO계 투명전도성 박막인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
4 4
청구항 3에 있어서,상기 광투과층이 증착온도 300℃ 이상에서 증착된 ZnO계 투명전도성 박막인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
5 5
청구항 3에 있어서,상기 광투과층이 ZnO계 투명전도성 박막 이외의 투명전도성 박막인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막
6 6
태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막을 제조하는 방법으로서,기판에 광투과층을 형성하는 단계;상기 광투과층 위에 광포획층을 형성하는 단계; 및상기 광포획층의 표면을 에칭하여 표면 텍스처 구조를 형성하는 단계를 포함하며,상기 광투과층의 전기전도도 A와 상기 광포획층의 전기전도도 a는 A003e#a의 관계가 있고, 상기 광투과층의 에칭성 B와 상기 광포획층의 에칭성 b는 B003c#b의 관계가 있는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 광포획층을 형성하는 단계에서, 상기 광포획층을 300nm 이상의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서,상기 광포획층을 형성하는 단계가 증착온도 300℃ 미만에서 ZnO계 투명전도성 박막을 증착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 광투과층을 형성하는 단계가 증착온도 300℃ 이상에서 ZnO계 투명전도성 박막을 증착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 광투과층을 형성하는 단계에서 상기 광포획층을 형성하는 단계로의 진행이 증착온도를 낮추는 방법에 의해 연속하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
11 11
청구항 8에 있어서,상기 광투과층을 형성하는 단계가 ZnO계 투명전도성 박막 이외의 투명전도성 박막을 증착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
12 12
청구항 6 내지 청구항 11 중에 어느 한 항에 있어서,상기 표면 텍스처 구조를 형성하는 단계가 습식 에칭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 습식 에칭이 0
14 14
태양전지의 전면 반사 방지막이나 전면전극 또는 후면 반사막으로 사용되는 투명전도막을 제조하는 방법으로서,기판에 300℃ 이상에서 ZnO계 투명전도성 박막을 증착하여 광투과층을 형성하는 단계; 및상기 광투과층 위에 300℃ 미만에서 ZnO계 투명전도성 박막을 증착하여 광포획층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광투과층을 형성하는 단계와 상기 광포획층을 형성하는 단계가 화학적 증착방법으로 이루어져 자체적으로 표면 텍스처 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 화학적 증착방법이 CVD법 또는 Sol-Gel법인 것을 특징으로 하는 이중구조 투명전도막의 제조방법
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1 CN103503156 CN 중국 FAMILY
2 US20140083501 US 미국 FAMILY
3 WO2013048006 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2013048006 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2013048006 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN103503156 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US2014083501 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2013048006 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2013048006 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2013048006 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 신재생에너지기술개발사업 유연금속기판을 이용한 적층형 실리콘 박막 태양전지 서브모듈 기술개발