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CI(G)S 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015154368
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CI(G)S 박막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기 광학적 특성을 향상시키면서, 생산성, 비용절감 및 작업 안전성을 개선할 수 있는 CI(G)S 박막 제조 방법과 상기 제조 방법에 의해 제조된 CI(G)S 박막에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 태양전지를 구성하는 CI(G)S 박막과 몰리브덴 박막 계면 사이에 구리가 포함되지 않거나 구리 함량이 매우 적은 인듐 층 또는 인듐-갈륨 층을 적층함으로써 CI(G)S 박막과 몰리브덴 박막 계면에 잔존하는 탄소를 완전히 제거할 수 있어 CI(G)S 박막의 전기 광학적 특성을 개선할 수 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020130108451 (2013.09.10)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1428594-0000 (2014.08.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.10)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
2 어영주 대한민국 대전광역시 유성구
3 곽지혜 대한민국 대전 서구
4 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
6 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
7 조준식 대한민국 대전광역시 유성구
8 안승규 대한민국 대전광역시 서구
9 신기식 대한민국 대전 유성구
10 박상현 대한민국 대전 유성구
11 박주형 대한민국 대전 유성구
12 유진수 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0826849-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0056922-56
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0527045-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
몰리브덴 층 위에 인듐 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 a); 상기 인듐 전구체 박막 위에 구리-인듐 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b에서 형성된 박막을 셀렌화 열처리하는 단계(단계c)를 포함하는 CI(G)S 박막 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 단계 a의 인듐 전구체 박막에 구리 또는 갈륨이 Cu/(In+Ga) 003c# 0
3 3
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는, 상기 인듐 화합물을 포함하는 제 1 잉크를 비진공 코팅하여 인듐 전구체 박막을 형성하는 것이고, 상기 단계 b는,인듐 화합물, 구리 화합물, 알코올 용매 및 유기 첨가제를 혼합하여 제조한 제 2 잉크를 비진공 코팅하여 구리-인듐 전구체 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 제 1잉크 또는 제 2잉크 제조 단계에서, 갈륨 화합물을 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
5 5
청구항 3에 있어서,상기 인듐 화합물은 인듐 클로라이드, 인듐 나이트레이트, 인듐 아세테이트, 인듐 아세틸아세토네이트, 인듐 플로라이드, 인듐 아이오다이드, 인듐 설페이트 및 인듐 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
6 6
청구항 3에 있어서,상기 구리 화합물은 구리 클로라이드, 구리 나이트레이트, 구리 아세테이트, 구리 아세틸아세토네이트, 구리 플로라이드, 구리 아이오다이드, 구리 설페이트 및 구리 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
7 7
청구항 4에 있어서,상기 갈륨 화합물은 갈륨 클로라이드, 갈륨 나이트레이트, 갈륨 아세테이트, 갈륨 아세틸아세토네이트, 갈륨 플로라이드, 갈륨 아이오다이드, 갈륨 설페이트 및 갈륨 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
8 8
청구항 3에 있어서,상기 알코올 용매는 에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
9 9
청구항 3에 있어서,상기 유기 첨가제는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민, 에틸렌디아민아세트산, 니트릴로트리아세트산, 하이드록시에틸렌디아민트리아세트산, 글리콜-비스(2-아미노에틸에테르)-N,N,N',N'-테트라아세트산, 트리에틸렌테트라아민헥사아세트산, 하이드록시에틸이미노디아세트산 및 디하이드록시에틸글리신으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
10 10
청구항 3에 있어서,상기 비진공 코팅은 스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
11 11
청구항 3에 있어서,상기 비진공 코팅은 코팅 후 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
12 12
청구항 3에 있어서,상기 단계 b의 비진공 코팅은 코팅 및 건조 단계를 순차적으로 반복하여 복수 회 수행되는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
13 13
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,450~500℃의 온도에서 5~30분간 셀렌화 열처리하는 것을 특징으로 하는 CI(G)S 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발
2 지식경제부 한국화학연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발