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태양전지용 CIGS 광흡수층 형성 방법 및 CIGS 태양전지

  • 기술번호 : KST2015154389
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 Na의 농도가 낮아서 CIGS 광흡수층의 공핍층이 얇은 경우에 태양전지 효율을 향상시킬 수 있는 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 3단계의 동시진공증발법에 의하여 태양전지용 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법으로서, In과 Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 증착하는 제1단계; Cu와 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제2단계; In과 Ga 및 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제3단계;를 포함하여 구성되며, 상기 제1단계에서 Ga을 증발시켜 공급하는 양이, 상기 제3단계에서 Ga를 증발시켜 공급하는 양보다 많은 것을 특징으로 한다.본 발명의 다른 형태에 의한 CIGS 태양전지는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 전극층; 및 상기 전극층 위에 형성된 CIGS 광흡수층을 포함하여 구성되며, 상기 전극층과 상기 CIGS 광흡수층의 계면에서의 Ga/(In+Ga)의 비율이 0.45 이상인 것을 특징으로 한다.본 발명은, 3단계 동시진공증발법으로 CIGS 광흡수층을 형성하는 과정에서 제1단계의 Ga 증발량을 늘림으로써, Na의 농도가 낮은 기판 위에 형성되어 공핍층의 깊이가 깊은 CIGS 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020120076562 (2012.07.13)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1369166-0000 (2014.02.25)
공개번호/일자 10-2014-0010549 (2014.01.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤재호 대한민국 대전 서구
2 곽지혜 대한민국 대전 서구
3 안세진 대한민국 대전 유성구
4 윤경훈 대한민국 대전 유성구
5 신기식 대한민국 대전 유성구
6 안승규 대한민국 대전 유성구
7 조아라 대한민국 서울 관악구
8 박상현 대한민국 대전 유성구
9 박희선 대한민국 경기 수원시 장안구
10 최성우 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0561287-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0078174-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0718476-92
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1152612-73
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-1152611-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
8 등록결정서
Decision to grant
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0129324-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3단계의 동시진공증발법에 의하여 태양전지용 CIGS 광흡수층을 형성하는 방법으로서,In과 Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 증착하는 제1단계;Cu와 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제2단계;In과 Ga 및 Se를 동시에 증발시켜 증착하는 제3단계;를 포함하여 구성되며,상기 제1단계에서 Ga을 증발시켜 공급하는 양이, 상기 제3단계에서 Ga를 증발시켜 공급하는 양보다 많은 것을 특징으로 하고, 상기 CIGS 광흡수층에 형성되는 공핍층 영역의 깊이가 400nm이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGS 광흡수층 형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,상기 CIGS 광흡수층이 형성된 기판이 알칼리농도가 8wt%이하인 소다라임 유리기판인 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGS 광흡수층 형성 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제1단계와 상기 제3단계의 In 증발량이 3Å/s이며,상기 제1단계의 Ga 증발량이 1
6 6
청구항 5에서 있어서,상기 제1단계가 기판온도 300~450도씨의 범위에서 수행되고, 상기 제2단계와 상기 제3단계가 기판온도 480~550도씨의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 CIGS 광흡수층 형성 방법
7 7
기판;상기 기판 위에 형성된 전극층; 및상기 전극층 위에 형성된 CIGS 광흡수층을 포함하여 구성되며,상기 전극층과 상기 CIGS 광흡수층의 계면에서의 Ga/(In+Ga)의 비율이 0
8 8
청구항 7에 있어서,상기 CIGS 광흡수층에 형성된 공핍층의 깊이가 400nm 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
9 9
삭제
10 10
청구항 8에 있어서,상기 기판이 알칼리농도가 8wt%이하인 소다라임 유리기판인 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
11 11
청구항 1, 4, 5, 6 중 어느 한 항에 따른 방법으로 형성된 CIGS 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지
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1 CN104011879 CN 중국 FAMILY
2 US20150303328 US 미국 FAMILY
3 WO2014010926 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN104011879 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104011879 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2015303328 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2014010926 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 고효율 유리기판 CIGS 박막 태양전지 핵심원천 기술개발