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이온 임플란테이션을 이용한 태양 전지 텍스쳐링 방법

  • 기술번호 : KST2015154392
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것으로서, 더 상세하게는 수소 이온 임플란테이션으로 실리콘 웨이퍼에 수소를 주입하고 열처리를 하고 실리콘 웨이퍼상에 전파되는 크랙에 따라 태양 전지를 텍스쳐링하여 태양 전지를 제조하는 방법에 대한 것이다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/024 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020140093921 (2014.07.24)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1523272-0000 (2015.05.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송희은 대한민국 인천광역시 중구
2 강민구 대한민국 대전광역시 중구
3 장보윤 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤우영 대한민국 서울특별시 서초구
5 이재우 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0698184-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0032422-84
5 등록결정서
Decision to grant		 2015.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0322711-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 제조 공정중 태양 전지 텍스쳐링 방법에 있어서,반도체 기판을 준비하는 단계;준비된 반도체 기판에 이온을 임플란테이션하는 단계;이온이 임플란테이션된 반도체 기판을 열처리하는 단계;상기 열처리에 의해 반도체 기판 내부에서 다수의 기포가 생성되는 단계;생성된 다수의 기포로부터 특정 방향으로 마이크로 크랙이 전파되는 단계; 및전파된 마이크로 크랙에 의해 상기 반도체 기판의 상단 표면에 피라미드 형상이 생성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 이온 임플란테이션은 텍스쳐링 높이에 따라 임플란테이션의 패턴 크기가 결정되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 이온은 수소 이온인 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 이온의 임플란테이션 방향은 상기 반도체 기판의 상단면에 수직 방향인 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 임플란테이션의 패턴 크기는 수학식 (여기서, y는 텍스쳐링 높이이고, x는 텍스쳐링 너비를 나타낸다)으로 정해지는 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 크랙은 상기 반도체 기판의 실리콘면을 따라 전파하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 크랙 전파는 상기 반도체 기판의 실리콘면들중 결합 에너지가 작은 쪽으로 발생하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은 점 패턴을 갖는 기판인 것을 특징으로 하는 태양 전지 텍스쳐링 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 임플란테이션은 연속적 형태가 아닌 점 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소수성 처리를 이용한 태양 전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 미래원천 기술개발사업 50미크론 초박형 실리콘 태양전지 사업화 미래원천기술 개발