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실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015154433
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판의 표면에 텍스처를 형성하는 표면조직화공정을 포함하는 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 표면조직화공정의 앞에 상기 기판의 데미지를 제거하는 전처리공정을 더 포함하며, 상기 전처리공정이 NaOCl을 포함하는 용액에 상기 기판을 침지한 상태에서 초음파를 가하여 이루어진다.본 발명은, 초음파 및 NaOCl을 이용한 전처리공정을 거친 실리콘 기판에 표면조직화공정을 실시함으로써, 태양전지의 변환효율을 감소시키지 않으면서 기판의 표면조직화과정에서 식각되는 실리콘의 양을 감소시켜 태양전지 제조시의 재료비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.또한, 종래의 전처리공정에 비하여 낮은 농도의 용액을 이용하여 낮은 온도에서 전처리공정을 실시함으로써, 제조비용이 감소하는 효과가 있다.나아가 NaOCl 용액을 사용함으로써, 캐리어의 수명이 증가하는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020100087970 (2010.09.08)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1134131-0000 (2012.03.30)
공개번호/일자 10-2012-0025828 (2012.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20120409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유진수 대한민국 대전광역시 중구
2 유권종 대한민국 서울특별시 성북구
3 소정훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정철 대한민국 대전광역시 유성구
5 한규민 대한민국 경기도 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0584147-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0586293-75
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062379-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0612100-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1017669-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-1017670-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189976-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판의 표면에 텍스처를 형성하는 표면조직화공정 이전에 상기 기판의 데미지를 제거하는 전처리공정을 더 포함하고,상기 전처리공정이 1 wt%의 NaOH와 1 wt%의 NaOCl의 용액에 상기 기판을 침지한 상태에서 초음파를 가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
2 2
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3 3
삭제
4 4
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5 5
청구항 1에 있어서,상기 초음파의 진동수가 20~40㎑ 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전처리공정이 10~30℃의 온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전처리공정이 1~10분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 표면조직화공정이 습식식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 습식식각에 사용되는 용액이 NaOH와 IPA(이소프로필알콜)을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 전처리공정과 상기 표면조직화공정을 통해 식각되는 기판의 두께가 10~14㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지용 실리콘 기판 표면의 처리 방법
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1 지식경제부 한국에너지기술연구원 주요사업 프린터블 실리콘 태양전지 개발