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ＣＩＧＳ／ＣＩＳ 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 ＣＩＧＳｅ／ＣＩＳｅ 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154434
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CIS/CIGS 나노입자의 셀렌화에 의한 (치밀한) CISe/CIGSe 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 CISe/CIGSe 화합물 박막의 제조방법은 전구체인 Cu-In-Ga-S 또는 Cu-In-S 화합물 나노입자를 제조하는 단계(a); 나노입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(b); 슬러리를 비진공 상태에서 기판 상에 코팅하여 CIGS 또는 CIS 전구체 박막을 형성하는 단계(c); 및 전구체 박막에 셀렌(Se)을 포함하는 증기를 이용한 고온 열처리함으로써 박막의 황(S)과 상기 셀렌(Se)을 치환하여 Cu-In-Ga-Se 또는 Cu-In-Se 화합물 박막을 형성하는 셀렌화 열처리 단계(e)를 포함한다. 이에 의하여, CISe/CIGSe 화합물 박막 구조의 격자팽창이 유도되고 조직이 고밀도로 치밀화됨으로써 궁극적으로 이를 이용한 태양전지의 효율을 상승시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0749 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110049766 (2011.05.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0131535 (2012.12.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
4 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구
5 조아라 대한민국 서울특별시 관악구
6 신기식 대한민국 대전광역시 유성구
7 안승규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0393002-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021271-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0391203-85
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0720777-41
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0720778-97
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0018324-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전구체인 Cu-In-Ga-S 또는 Cu-In-S 화합물 나노입자를 제조하는 단계(a);상기 (a) 단계에서 제조한 전구체 나노입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(b);상기 슬러리를 비진공 상태에서 기판 상에 코팅하여 CIGS 또는 CIS 전구체 박막을 형성하는 단계(c); 및상기 CIGS 또는 CIS 전구체 박막에 셀렌(Se)을 포함하는 증기를 이용하여 열처리함으로써 상기 전구체 박막의 황(S)과 상기 셀렌(Se)을 치환하여 Cu-In-Ga-Se 또는 Cu-In-Se 화합물 박막을 형성하는 셀렌화 열처리 단계(e)를 포함하는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 나노입자의 제조방법이 저온 콜로이달법, 용매열합성법, 마이크로웨이브법 및 초음파 합성법 중 어느 하나인, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 슬러리의 제조는,상기 바인더와 혼합하여 용매에 용해시킨 후, 초음파 처리하여 분산시킴으로써 이루어지는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 용매가 알코올계 용매인, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 알코올계 용매가 에탄올, 메탄올, 펜탄올, 프로판올 및 부탄올 중 적어도 어느 하나를 포함하는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
6 6
청구항 3에 있어서,상기 바인더가 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 에틸셀룰로오스 및 폴리비닐피롤리돈, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, 다이에탄올아민 및 트리에탄올아민 중 적어도 어느 하나를 포함하는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 슬러리의 기판 상 코팅이 스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터 블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나에 의해 이루어지는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 (c) 단계 이후,건조하는 단계(d)를 더 포함하는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 건조가 2단계에 걸쳐 이루어지는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 (c) 단계 및 (d) 단계가 반복 수행되는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 셀렌화 열처리 단계가 400 내지 530 ℃의 온도범위에서 수행되는, CIGS/CIS 나노입자의 셀렌화에 의한 치밀한 CIGSe/CISe 박막 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서,상기 셀렌화 열처리 단계가 10 내지 60 분 동안 이루어지는, 셀렌화에 의한 CISe/CIGSe 화합물 박막의 제조방법
13 13
청구항 1 내지 청구항 12의 방법에 의해 형성되는 CISe/CIGSe 박막을 이용하여 제조되는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2012161401 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012161401 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발
2 지식경제부 한국에너지기술연구원 협동연구사업 용액화학기반형 저가/고효율 CIGS 박막 태양전지 기술개발