맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

재사용이 가능한 실리콘 용융용 이중 도가니 및 이를 포함하는 실리콘 박판 제조 장치

  • 기술번호 : KST2015154446
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상측이 개방되고 하부에 용융된 실리콘이 토출되는 토출부가 구비된 용기 형태로 이루어지며, 상기 토출부의 상부면에 대해 기울기를 갖고, 상기 토출부와 내벽을 연결하는 경사부를 구비하는 흑연 도가니; 및 상기 흑연 도가니와 대응되는 형상을 갖고, 상기 흑연 도가니의 내측에 끼움 결합되며, 내부에 실리콘 원료가 장입되는 쿼츠 도가니를 포함하는 실리콘 용융용 이중 도가니를 제공한다.
Int. CL C04B 35/52 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01) C30B 15/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110127510 (2011.12.01)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1396474-0000 (2014.05.12)
공개번호/일자 10-2012-0127173 (2012.11.21) 문서열기
공고번호/일자 (20140519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110044752   |   2011.05.12
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.01)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이진석 대한민국 대전광역시 중구
2 장보윤 대한민국 대전 유성구
3 안영수 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0955344-06
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0116077-02
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0982249-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.02 수리 (Accepted) 9-1-2013-0000039-75
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0417839-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0677104-81
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0677097-48
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0831113-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1111480-37
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1111458-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
14 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0292447-32
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상측이 개방되고 하부에 용융된 실리콘이 토출되는 토출부가 구비된 용기 형태로 이루어지며, 상기 토출부의 상부면에 대해 기울기를 갖고, 상기 토출부와 내벽을 연결하는 경사부를 구비하는 흑연 도가니; 상기 흑연 도가니와 대응되는 형상을 갖고, 상기 흑연 도가니의 내측에 끼움 결합되며, 내부에 실리콘 원료가 장입되는 쿼츠 도가니; 및상기 토출부를 개폐하는 게이트 바를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 용융용 이중 도가니
2 2
제1항에 있어서,상기 경사부의 일면은 상기 토출부의 상부면에 대하여 3°이상의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 용융용 이중 도가니
3 3
제1항에 있어서,상기 흑연 도가니는 상기 흑연 도가니의 일부가 종 방향으로 절개된 복수의 슬릿을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 용융용 이중 도가니
4 4
제1항에 있어서,상기 쿼츠 도가니는 상기 흑연 도가니와 상기 실리콘 원료가 접촉되는 것이 차단되도록 상기 흑연 도가니와 대응되는 표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 용융용 이중 도가니
5 5
실리콘 원료가 장입되는 유입부, 상기 유입부의 일면에 대해 예각의 기울기를 갖고 상기 유입부에서 연장된 경사부 및 상기 유입부의 개구부 면적보다 작은 개구부를 갖고, 상기 경사부에서 상기 유입부와 평행한 방향으로 연장된 토출부를 구비한 쿼츠 도가니;상기 쿼츠 도가니를 감싸는 흑연 도가니; 및상기 쿼츠 도가니에 실리콘 원료가 장입될 때 상기 토출부를 폐쇄하고, 상기 실리콘 원료가 용융된 경우 상기 토출부를 개방하는 게이트 바를 포함하는 실리콘 용융용 이중 도가니
6 6
제 5항에 있어서,상기 예각은 최대 87°인 실리콘 용융용 이중 도가니
7 7
제 5항에 있어서,상기 쿼츠 도가니의 전체 외면은 상기 흑연 도가니의 내면 전체와 면접촉 하는 실리콘 용융용 이중 도가니
8 8
제 5항에 있어서,상기 흑연 도가니는 일부가 상기 흑연 도가니의 종 방향으로 절개된 복수의 슬릿을 구비한 실리콘 용융용 이중 도가니
9 9
실리콘 원료가 공급되는 실리콘 원료 투입부; 상기 실리콘 원료 투입부의 하부에 장착되는 실리콘 용융용 이중 도가니; 상기 실리콘 원료를 용융시켜 실리콘 용탕이 형성되도록 상기 실리콘 용융용 이중 도가니를 가열하는 도가니 가열부; 상기 실리콘 용탕을 공급받아 저장한 후, 상기 실리콘 용탕을 일정한 양의 용융물로 출탕하는 실리콘 용탕 저장부; 상기 실리콘 용탕 저장부의 하부에 배치되며, 상기 출탕되는 실리콘 용융물을 이송하는 이송 기판; 및 상기 이송 기판으로 이송되는 실리콘 용융물을 냉각하여 실리콘 박판을 형성하는 박판 형성부;를 포함하는 실리콘 박판 제조 장치에 있어서,상기 실리콘 용융용 이중 도가니는 하부에 용융된 실리콘이 토출되는 토출구가 형성되고 상측이 개방되는 용기 형태로 이루어지며, 상기 토출구를 갖는 토출부의 상부면에 대해 기울기를 갖고, 상기 토출부와 내벽을 연결하는 경사부를 구비하는 흑연 도가니 및 상기 흑연 도가니의 내측에 끼움 결합되며, 내부에 실리콘 원료가 장입되는 쿼츠 도가니를 갖고,상기 쿼츠 도가니에 장입된 실리콘 원료가 용융되도록 상기 토출부를 폐쇄하는 게이트 바를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 경사부는 상기 토출부의 상부면에 대해 3°이상의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조 장치
11 11
제9항에 있어서,상기 도가니 가열부는 상기 실리콘 용융용 이중 도가니의 외벽을 둘러싸는 코일을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조 장치
12 12
삭제
13 13
제 9항 또는 제 11항에 있어서,상기 도가니 가열부는 상기 실리콘 용탕의 표면 온도가 1300 ~ 1500℃ 범위를 갖도록 상기 실리콘 용융용 이중 도가니를 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조 장치
14 14
제 9항에 있어서,상기 이송기판의 재질은 상기 실리콘의 열팽창계수와 다른 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조장치
15 15
제 14항에 있어서,상기 이송기판의 재질은 금속, 세라믹, 실리콘카바이트(SiC), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 그라파이트(Graphite), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 몰리브덴(Mo) 물질 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조장치
16 16
제 9항에 있어서,상기 이송기판의 온도는 700℃ ~ 1500℃의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 박판 제조장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02522764 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02522764 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US09096946 US 미국 FAMILY
4 US20120288418 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2522764 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2522764 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2012288418 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9096946 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.