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Ⅱ―Ⅵ족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법 및 이에 의해 제조된 Ⅱ―Ⅵ족 화합물 반도체 박막

  • 기술번호 : KST2015154453
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법에 관한 것으로, (S1) II족 원소 전구체 또는 VI족 원소 전구체 중 선택된 한 성분을 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 기판에 도포하는 단계; (S2) 상기 용액 A가 코팅된 기판을 건조하는 단계; (S3) 상기 (S1) 단계에서 선택되지 않은 나머지 성분을 상기 용매에 용해시켜 형성된 용액 B를 상기 용액 A가 코팅된 기판에 도포하는 단계; (S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 건조하는 단계; 및 (S5) 기판 표면을 세척 및 건조하는 단계를 포함하며, (S1)～(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법은 간단한 공정 방식으로서 박막 성장 속도가 매우 빠르기 때문에 소용되는 비용 및 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 21/208 (2014.01) H01L 31/073 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100097431 (2010.10.06)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1115389-0000 (2012.02.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고창현 대한민국 대전광역시 서구
2 김종남 대한민국 대전광역시 유성구
3 박종호 대한민국 대전광역시 유성구
4 박성열 대한민국 대전광역시 유성구
5 황정연 대한민국 대전광역시 유성구
6 윤재호 대한민국 대전광역시 중구
7 윤경훈 대한민국 대전광역시 유성구
8 안세진 대한민국 대전광역시 유성구
9 곽지혜 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0646167-16
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0798325-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0049048-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0614954-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1032122-52
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1032123-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5001923-88
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0060049-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법으로서,(S1) II족 원소 전구체 또는 VI족 원소 전구체 중 선택된 한 성분을 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A를 스핀 코팅법을 사용하여 기판에 도포하는 단계;(S2) 상기 용액 A가 코팅된 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계;(S3) 상기 (S1) 단계에서 선택되지 않은 나머지 성분을 상기 용매에 용해시켜 형성된 용액 B를 스핀 코팅법을 사용하여 상기 용액 A가 코팅된 기판에 도포하는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 얻은 기판을 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 단계; 및(S5) 기판 표면을 세척 및 건조하는 단계를 포함하며, (S1)～(S5) 단계를 1주기로 하여 1회 이상 반복한 후 생성된 박막을 어닐링 처리하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (S2) 단계와 (S3) 단계 사이에,기판 표면을 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 (S2) 및 (S4) 단계는 200℃의 온도에서 1분～10분 동안 건조하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 점성의 다가 알코올계 용매는 에틸렌글리콜 또는 프로필렌글리콜인 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 용액 A 및 용액 B의 몰 농도가 0
8 8
제1항에 있어서, 생성된 II-VI족 화합물 반도체 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 비활성 기체 분위기 하에서 350～450℃에서 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 생성된 II-VI족 화합물 반도체 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 질소 분위기 하에서 400℃에서 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 생성된 II-VI족 화합물 반도체 박막을 어닐링 처리하는 방식은, 500℃～550℃에서 급속 열적 어닐링(RTA)을 사용하여 3~5분간 처리하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 II-VI족 화합물 반도체 박막은 Zn, Cd, Sn, Cu 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 및 S, Se 및 Te로 이루어진 군으로부터 선택되는 칼코겐을 포함하는 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 II족 원소 전구체는 II족 원소의 질산염, 염산염, 불산염 또는 요오드화염인 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 VI족 원소 전구체는 VI족 원소의 알칼리금속염인 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 VI족 원소 전구체는 VI족 원소의 나트륨염인 것을 특징으로 하는 II-VI족 화합물 반도체 박막의 용액상 제조방법
15 15
II족 원소 전구체 또는 VI족 원소 전구체 중 선택된 한 성분을 점성의 다가 알코올계 용매에 용해시켜 형성된 용액 A와 선택되지 않은 나머지 성분을 상기 용매에 용해시켜 형성된 용액 B를 스핀코팅법을 사용하여 기판에 도포하고 200℃～250℃의 온도에서 1분 이상 건조하는 과정을 교대로 수행한 후 기판 표면을 세척하고 건조하는 과정을 1회 이상 반복한 후 어닐링 처리하여 제조된 II-VI족 화합물 반도체 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 원천기술개발사업/미래기반기술개발사업/신기술융합형 성장동력 사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발