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하부 알루미나 기판과, 상기 하부 알루미나 기판 상에 설치되는 RuO2 후막 가열부와, 상기 RuO2 후막 가열부의 양측단부에 Pt선이 연결되어 접속되는 Pt전극 또는 Pb-Ag전극과, 상기 RuO2 후막 가열부의 상면에 부착되는 상부 알루미나 기판과, 상기 상부 알루미나 기판의 표면에 형성되는 센서용 후막과, 상기 센서용 후막의 양편에 형성되는 Au전극과, 상기 Au전극에 연결되는 Pt선으로 구성함을 특징으로 하는 반도체식 아세토니트릴 감지센서
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제1항에 있어서, 상기 센서용 후막은 SnO2, A12O3 및 Nb2O5이고, 이들의 조성비가 wt%비로 89
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제1항에 있어서, 상기 센서용 후막은 원료분말이 SnO2, Al2O3 및 Nb2O5s이고, 이들의 조성비가 wt%비로 89
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하부 알루미나 기판 상에 RuO2 후막 가열부를 형성하는 공정과, 그 양측단부에 Pt선이 연결된 Pt전극 또는 Pb-Ag전극을 연결하는 공정과, 상기 RuO2 후막 가열부의 상면에 상부 알루미나 기판을 부착하는 공정과, 상기 상부 알루미나 기판의 표면에 센서용 후막을 형성하는 공정과, 상기 센서용 후막의 양편으로 Au전극을 형성하는 공정과, 상기 Au전극에는 와이어를 연결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 반도체식 아세토니트릴 감지센서의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 센서용 후막은 원료분말로서 SnO2, α-A12O3 및 Nb|2O5분말을 혼합 및 하소한 후 결합제를 첨가하여 페이스트화하여 도포한 것을 특징으로 하는 반도체식 아세토니트릴 감지센서의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 원료분말의 조성비는 SnO2를 감지 모물질로 하고, α-A1203와 Nb2O5를 각각 무게비로 10
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제5항에 있어서, 상기 원료분말의 조성비는 SnO2를 감지 모물질도 하고,α-A12O3와 Nb2O5를 각각 무게비로 10
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제7항에 있어서, 상기 SnO2는 (C2H5O)4 ·Si 80cc, C2H|5OH 16cc, HCl(0
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