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표면개질에의한지르코니아소결체의강도증진방법

  • 기술번호 : KST2015154530
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 간단한 공정을 통해 지르코니아 표면에 실리카/지르콘 층을 형성시킴으로써 균열 둔화에 의한 강도 증가와 동시에 정방정에서 단사정으로 전이하는 저온열화 현상을 방지하기 위하여, 분위기 산소 분압을 조절할 수 있는 분위기 조절로 내에서 지르코니아와 Si를 포함하는 화합물을 도입하는 단계와; 상기 분위기 조절로 내에 H2-H2O (H2O≥0.1%) 가스를 흘려 상기 Si 화합물을 기화시켜 SiOx 상태로 변환시키는 단계와; 얻어진 SiOx를 상기 지르코니아의 표면에 증착시킴으로써 상기 지르코니아의 표면에 실리카/지르콘층을 형성시키는 단계;로 이루어지는 지르코니아 개질 방법을 제공한다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019980014601 (1998.04.23)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0292247-0000 (2001.03.21)
공개번호/일자 10-1999-0080975 (1999.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.04.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백용기 대한민국 대전광역시 유성구
2 김현이 대한민국 서울특별시 서초구
3 고영학 대한민국 서울특별시 관악구
4 강을손 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1998-0046381-56
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1998-0046380-11
3 특허출원서
Patent Application		 1998.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1998-0046379-64
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1998-0396571-99
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041630-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0160250-44
7 의견서
Written Opinion		 2000.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5267388-58
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5267392-31
9 등록사정서
Decision to grant		 2001.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0037408-43
10 FD제출서
FD Submission		 2001.03.30 수리 (Accepted) 2-1-2001-5052014-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

분위기 산소 분압을 조절할 수 있는 분위기 조절로 내에서 지르코니아와 Si 화합물을 도입하는 단계와;

상기 분위기 조절로 내에 H2-H2O (H2O≥0

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 Si 화합물은 Si3N4, Si, Sialon 및 SiO2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 지르코니아 개질 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 분위기 조절로내에 상기 지르코니아를 Si 화합물로부터 소정 거리를 유지하여 기울여 위치시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 개질 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 분위기 조절로를 1300-1500℃로 가열하며 1시간 이상 유지시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 개질 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03054143 JP 일본 FAMILY
2 JP12063175 JP 일본 FAMILY
3 US06033727 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2000063175 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3054143 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US6033727 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.