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텅스텐계 중합금의 표면개질 방법

  • 기술번호 : KST2015154571
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텅스텐 중합금의 표면만을 경도는 높고, 부서지기 쉬운 탄화물층으로 표면개질시킴으로서 장갑판 관통시 고경도의 표면특성에 의한 관통능력 향상과 함께 표면의 탄화물층이 쉽게 떨어져 나가게 함으로써 국부적인 단열전단밴드의 생성없이도 셀프-샤프닝 현상을 발생시켜 관통능력을 향상시킬 수 있는 텅스텐 중합금의 표면개질 방법을 제공하기 위하여, 텅스텐계 중합금을 탄소 분말로 덮어서 텅스텐계 중합금을 탄소 분말로 덮고 표면침탄 열처리를 행하여 침탄 열처리하지 않은 텅스텐계 중합금과 비교하여 흡수충격에너지의 감소율이 25 - 85% 이고, 표면경도의 증가율이 2 - 30% 이 되도록 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법과, 텅스텐계 중합금을 Cr 분말로 덮은 후, 다시 탄소 분말로 덮고 표면침탄 열처리를 행하여 침탄 열처리하지 않은 텅스텐계 중합금과 비교하여 흡수충격에너지의 감소율이 30% 이하이고, 표면경도의 증가율이 80% 이하가 되도록 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법을 제공한다.
Int. CL B22F 1/00 (2006.01)
CPC C23C 10/30(2013.01) C23C 10/30(2013.01)
출원번호/일자 1020000024216 (2000.05.06)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0393524-0000 (2003.07.22)
공개번호/일자 10-2001-0102707 (2001.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20030806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.05.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석우 대한민국 대전광역시유성구
2 강석중 대한민국 대전광역시유성구
3 노준웅 대한민국 대전광역시서구
4 홍문희 대한민국 서울특별시강남구
5 이성 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2000-0090937-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2002.02.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2002.03.27 수리 (Accepted) 9-1-2002-0041426-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0109956-08
5 의견서
Written Opinion
2002.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0154319-32
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.05.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0154322-70
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0404051-91
8 의견서
Written Opinion
2003.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2003-0007457-55
9 등록결정서
Decision to grant
2003.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0252265-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
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번호 청구항
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텅스텐계 중합금을 탄소 분말로 덮고 표면침탄 열처리를 행하여 침탄 열처리하지 않은 텅스텐계 중합금과 비교하여 흡수충격에너지의 감소율이 25 - 85% 이고, 표면경도의 증가율이 2 - 30% 이 되도록 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법

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텅스텐계 중합금을 Cr 분말로 덮은 후, 다시 탄소 분말로 덮고 표면침탄 열처리를 행하여 침탄 열처리하지 않은 텅스텐계 중합금과 비교하여 흡수충격에너지의 감소율이 30% 이하이고, 표면경도의 증가율이 80% 이하가 되도록 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법

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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 표면침탄 열처리는 수소 분위기에서 행해지는 것을 특징으로 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법

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제 3 항에 있어서, 상기 표면침탄 열처리를 10분간 수행한 후, 계속해서 상기 텅스텐계 중합금에 고용된 수소를 제거하기 위해 600℃ 이상의 온도범위, 질소 또는 불활성분위기하에서 50분간 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법

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제 4 항에 있어서, 상기 텅스텐계 중합금은 상기 질소 분위기하에서의 열처리 후 수냉되는 것을 특징으로 하는 텅스텐계 중합금의 표면개질 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.