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1) 탄소/페놀릭 프리폼을 적층하여 경화시키고, 2) 상기 탄소/페놀릭 프리폼을 불활성 분위기하에서 2300 ℃ 이하까지 단계적으로 온도를 상승시키면서 탄화 및 열처리를 수행하고, 3) 상기 열처리된 탄화체를 액체 금속 실리콘과 접촉 반응시켜 1400 ~ 1800 ℃의 온도에서 액체 금속 실리콘의 함침 및 소결을 수행하고, 4) 2000 ~ 2700 ℃의 온도에서 SiO2 70 ~ 75 %, SiC 15 ~ 20 % 및 C 5 ~ 10 %을 총 100 중량%의 양으로 포함하는 화합물을 기화시킨 다음, 상기 3)에서 미반응으로 남은 액체 금속 실리콘과 반응시켜 표면에 실리콘-카바이드층(내산화층)을 형성시키는, 탄소직물로 이루어진 C/SiC 복합재료의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소/페놀릭 프리폼은, 프레스 몰딩에서 얻어진 프리폼, 테이프 렙핑에서 내부가압 및 외부가압으로 얻어진 프리폼, 필라멘트 와인딩에서 얻어진 프리폼, 2차원 직물 집합체에 내열섬유로 재봉하여 얻은 3차원 프리폼 및 인벌루트(Involute) 공법으로 얻어진 프리폼 중 어느 하나인 탄소직물로 이루어진 C/SiC 복합재료의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 재봉법에 이용되는 내열섬유는 탄소섬유, 쿼츠(Quartz) 섬유, 실리카 섬유 및 텅스텐선 중 어느 하나인 탄소직물로 이루어진 C/SiC 복합재료의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 2) 단계에서 탄화, 열처리 및 초고온 열처리를 동시에 수행하고 상기 4) 단계를 수행하지 않는 탄소직물로 이루어진 C/SiC 복합재료의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 경화된 시편에 구멍을 뚫어 2) 단계에서 분해가스의 배출경로를 만들어주는 탄소직물로 이루어진 C/SiC 복합재료의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 배출경로는 직육면체 경화물의 경우 지름 0
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제 5 항에 있어서, 상기 배출경로는 내부가 비어있는 원통 및 실린더 형태의 경화물의 경우 지름 0
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2) 단계의 탄화/열처리시, 그라파이트 및 코우크스 분말을 구멍이 뚫린 그라파이트 박스에 넣은 후 시편 최대 두께의 1
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소결반응시 실리콘 순도 98 ~ 99
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 3) 단계후에 추가로 시편 표면에 70 ~ 80%의 보오론나이트라이드(BN), 10 ~ 20%의 아세톤, 0 ~ 10%의 물로 이루어지는 보오론나이트라이드(BN) 혼합물을 도포하는 단계를 포함하는 탄소직물로 이루어진 C/SiC 복합재료의 제조방법
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