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핀 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015154637
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 노출된 고농도 n형 에피택셜층 측면부위와 그에 인접한 기판 상에 고농도 n형 오믹 금속층을 형성하므로 순방향 저항을 감소시키기 위한 핀 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 핀 다이오드 및 그의 제조 방법은 기판, 핀 다이오드가 형성될 부위의 기판상에 전체의 단면 형상이 사다리꼴의 형상인 제 1 도전형 에피택셜층, 버퍼층과, 제 2 도전형 에피택셜층을 차례로 형성하고, 상기 제 2 도전형 에피택셜층상에 제 1 오믹 도전체층을 형성하며, 상기 노출된 제 1 도전형 에피택셜층 측면부위와 그에 인접한 기판상에 제 2 오믹 도전체층을 형성하는 것을 특징으로 한다.다이오드
Int. CL H01L 29/868 (2006.01)
CPC H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01)
출원번호/일자 1019990003764 (1999.02.04)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0450259-0000 (2004.09.15)
공개번호/일자 10-2000-0055243 (2000.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20040930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.19)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기철 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 정명득 대한민국 대전광역시 서구
3 정해원 대한민국 대전광역시 서구
4 우병일 대한민국 대전광역시 서구
5 김종명 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.02.04 수리 (Accepted) 1-1-1999-0008649-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
4 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2002.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-5041325-28
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-5138976-72
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2002.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-5164020-15
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-5269283-89
8 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0381936-51
9 출원심사청구서
Request for Examination		 2002.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0381937-07
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0351349-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판;

핀 다이오드가 형성될 부위의 기판상에 차례로 형성되며 사다리꼴의 단면 형상을 갖는 제 1 도전형 에피택셜층, 버퍼층과, 제 2 도전형 에피택셜층;

상기 제 2 도전형 에피택셜층상에 형성된 제 1 오믹 도전체층;

상기 노출된 제 1 도전형 에피택셜층 측면부위와 그에 인접한 기판상에 형성된 제 2 오믹 도전체층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 핀 다이오드

2 2

기판상에 제 1 도전형 에피택셜층, 버퍼층과, 제 2 도전형 에피택셜층을 형성하는 단계;

상기 제 2 도전형 에피택셜층상의 제 2 도전형 오믹 도전체층이 형성될 부위에 제 1 오믹 도전체층을 형성하는 단계;

상기 제 1 오믹 도전체층을 중심으로 사다리꼴의 단면형상을 갖도록 상기 제 1 도전형 에피택셜층, 버퍼층과, 제 2 도전형 에피택셜층을 선택적으로 식각하는 단계;

상기 노출된 제 1 도전형 에피택셜층 측면부위와 그에 인접한 기판상에 제 2 오믹층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 버퍼층을 순수 반도체층으로 형성함을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기 제 1 오믹 도전체층을 중심으로 사다리꼴의 단면형상을 갖도록 상기 제 1 도전형 에피택셜층, 버퍼층과, 제 2 도전형 에피택셜층을 선택적으로 습식 식각함을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.