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핀 다이오드의 구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015154639
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핀 다이오드의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 오믹금속층의 위치가 제한됨에 따라 일정한 오믹 저항값을 갖게 되어 고주파특성이 저감되는 문제점이 있고, 식각공정의 제어가 어려운 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 돌출부를 갖는 화합물 반도체기판과; 상기 반도체기판의 돌출부 상에 적층 형성된 제1 엔형층, 버퍼층 및 피형층과; 상기 제1 엔형층과 반도체기판 돌출부의 경사면 및 반도체기판 상에 형성된 제2 엔형층과; 상기 피형층 및 제2 엔형층 상부에 각각 형성된 제1∼제3 오믹금속층과; 상기 제1∼제3 오믹금속층의 일정한 영역과 각기 접촉되는 제1∼제3 에어브리지 금속층을 구비하여 이루어지는 핀 다이오드의 구조를 화합물 반도체기판의 상부에 순차적으로 제1 엔형층, 버퍼층 및 피형층을 형성한 후, 제1 마스크를 이용하여 상기 피형층의 상부 일정한 영역에 제1 오믹금속층을 형성하는 공정과; 상기 제1 마스크를 제거하고, 제1 오믹금속층의 상부에 제2 마스크를 형성한 후, 상기 피형층, 버퍼층, 제1 엔형층을 식각함과 아울러 계속해서 반도체기판을 소정깊이로 식각하는 공정과; 상기 제2 마스크를 제거하고, 상부 전면에 절연층을 형성한 후, 1차 사진식각공정을 적용하여 상기 제1 오믹금속층, 피형층 및 버퍼층 상에 형성된 절연층을 식각하는 공정과; 상기 구조물을 열처리하여 잔류하는 절연층의 하부에 제2 엔형층을 형성한 후, 상기 절연층을 제거하는 공정과; 상기 구조물의 상부에 2차 사진식각공정을 적용하여 상기 제2 엔형층의 상부에 제2,제3 오믹금속층을 형성하는 공정과; 상기 제1∼제3 오믹금속층의 일정한 영역과 각기 접촉되는 제1∼제3에어브리지 금속층을 형성하는 공정을 통해 제조하여 고농도 엔형층의 경사진 측면에서 캐리어를 주입함과 아울러 고농도 엔형층 상에 형성되는 오믹금속층의 면적을 증가시킴으로써, 순방향 저항값을 최소화하여 고주파특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 또한 종래에 비해 본 발명에서는 고농도 엔형층을 완전히 식각하여 엔형층에 비해 상대적으로 매우 두꺼운 반도체기판 상에서 식각이 완료되므로, 식각공정의 제어가 용이해짐에 따라 공정이 간편해지는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/868 (2006.01)
CPC H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01)
출원번호/일자 1019980058873 (1998.12.26)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0450258-0000 (2004.09.15)
공개번호/일자 10-2000-0042636 (2000.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20041230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기철 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 정명득 대한민국 대전광역시 서구
3 정해원 대한민국 대전광역시 서구
4 우병일 대한민국 대전광역시 서구
5 김종명 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0447009-36
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1998-0447010-83
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008437-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.06.03 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2002-5138938-47
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2002-5154185-49
8 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2002.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2002-5166590-53
9 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-5269283-89
10 출원심사청구서
Request for Examination		 2002.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-5277610-59
11 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-5277611-05
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0041863-64
14 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0351350-85
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

돌출부를 갖는 화합물 반도체기판과; 상기 반도체기판의 돌출부 상에 적층 형성된 제1 엔형층, 버퍼층 및 피형층과; 상기 제1 엔형층과 반도체기판 돌출부의 경사면 및 반도체기판 상에 형성된 제2 엔형층과; 상기 피형층 및 제2 엔형층 상부에 각각 형성된 제1∼제3 오믹금속층과; 상기 제1∼제3 오믹금속층의 일정한 영역과 각기 접촉되는 제1∼제3 에어브리지 금속층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 구조

2 2

제 1항에 있어서, 상기 제1 엔형층과 피형층은 고농도 애피택셜 성장층이며, 제2 엔형층은 고농도 엔형층인 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 구조

3 3

제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체기판의 돌출부 상부에 형성되는 제1 엔형층, 버퍼층 및 피형층의 적층구조물은 메사형(mesa type)인 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 구조

4 4

화합물 반도체기판의 상부에 순차적으로 제1 엔형층, 버퍼층 및 피형층을 형성한후, 제1 마스크를 이용하여 상기 피형층의 상부 일정한 영역에 제1 오믹금속층을 형성하는 공정과; 상기 제1 마스크를 제거하고, 제1 오믹금속층의 상부에 제2 마스크를 형성한 후, 상기 피형층, 버퍼층, 제1 엔형층을 식각함과 아울러 계속해서 반도체기판을 소정깊이로 식각하는 공정과; 상기 제2 마스크를 제거하고, 상부전면에 절연층을 형성한 후, 1차 사진식각공정을 적용하여 상기 제1 오믹금속층, 피형층 및 버퍼층 상에 형성된 절연층을 식각하는 공정과; 상기 구조물을 열처리하여 잔류하는 절연층의 하부에 제2 엔형층을 형성한 후, 상기 절연층을 제거하는 공정과; 상기 구조물의 상부에 2차 사진식각공정을 적용하여 상기 제2 엔형층의 상부에 제2,제3 오믹금속층을 형성하는 공정과; 상기 제1∼제3 오믹금속층의 일정한 영역과 각기 접촉되는 제1∼제3에어브리지 금속층을 형성하는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

5 5

제 4항에 있어서, 상기 제1 오믹금속층의 상부에 제2 마스크를 형성한 후, 상기 피형층, 버퍼층, 제1 엔형층을 식각함과 아울러 계속해서 반도체기판을 소정깊이로 식각하는 공정은 습식식각을 적용하여 식각되지 않고 잔류하는 구조물을 메사형으로 형성하는 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

6 6

제 4항에 있어서, 상기 절연층은 산화막(SiO2)과 질화막(Si3N4)을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

7 7

제 4항 또는 제 6항에 있어서, 상기 절연층의 산화막(SiO2)은 기체의 혼합비율을 조절하여 Si를 불안정하게 함으로써, O2와 약하게 결합된 구조를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 핀 다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.