요약 | 본 발명은 발열체를 전지케이스 내부에 삽입하여 발열체로부터 열을 발생시켜 전지 자체의 온도를 상승시킴으로 저온에서 문제점으로 대두되는 박막전지 내부의 저항을 감소시킴으로서 상온과 동일한 전지성능을 갖는 전지시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 내부 공간을 형성하는 전지 케이스, 전지 케이스의 내부에 위치하며, 전지를 포함하는 전지모듈 및 전지 케이스의 내부에 위치하며, 외부의 충격에 의해 열을 발생하여 전지 시스템의 온도를 상승시키는 발열체 구조물;을 포함하는 전지를 제공한다. 본 발명이 제공하는 전지시스템은 박막전지를 사용하여 평상시 비활성화 상태를 유지하며, 발열체의 발열에 의해 전지를 활성화시키는 것과 함께 전지 모듈의 온도를 상승시켜 저온에서의 전지 특성을 향상시킬 수 있다. 열 스위치, 박막전지, 비축전지, 활성화시간, 발열, 라이징 타임 |
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Int. CL | H01M 10/04 (2006.01) H01M 2/02 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020080027578 (2008.03.25) |
출원인 | 지에스나노텍 주식회사, 국방과학연구소 |
등록번호/일자 | 10-0986298-0000 (2010.10.01) |
공개번호/일자 | 10-2009-0102253 (2009.09.30) |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | |
심사청구항수 | 0 |