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반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015154943
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 도금용 시드(seed)를 적층하는 단계와, 상기 적층된 기판 상에 반도체 소자 패키지용 리본의 형상 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 형상 패턴에 도금을 수행하는 단계와, 상기 형상 패턴을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거하는 단계와, 상기 적층된 도금용 시드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 패키지용 제조 방법에 따르면, 도금 및 반도체 제조 공정을 이용하여 반도체 소자 패키지용 리본을 제조함으로써, 다이오드 패키지 이후에 발생되는 기생 인덕턴스를 줄일 수 있도록 하는 다양한 리본 형상을 구현하고 쉽게 수정할 수도 있다. 특히, 다이오드의 전극 크기에 적합하도록 작고 얇은 리본을 용이하게 제조할 수 있다. 아울러 본딩을 한 번만 하면 되므로 수율이 높아지고 제조 단가가 감소하는 효과가 있다. 리본, 패키지, 도금, 반도체, 금(Au), 패턴 형상
Int. CL H01L 23/00 (2006.01) H03B 5/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090040343 (2009.05.08)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1041464-0000 (2011.06.08)
공개번호/일자 10-2010-0121269 (2010.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구
2 이성대 대한민국 서울특별시 금천구
3 김미라 대한민국 서울특별시 은평구
4 민대홍 대한민국 서울특별시 동작구
5 정명숙 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0277887-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065958-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0566539-90
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089928-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0089927-89
7 등록결정서
Decision to grant
2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0290936-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 도금용 시드(seed)를 적층하는 단계; 상기 적층된 기판 상에 반도체 소자 패키지용 리본의 형상 패턴을 형성하는 단계; 상기 형성된 형상 패턴에 도금을 수행하는 단계; 상기 형상 패턴을 제거하는 단계; 상기 기판을 제거하는 단계; 및 상기 적층된 도금용 시드를 제거하는 단계를 포함하며, 상기 적층된 기판 상에 반도체 소자 패키지용 리본의 형상 패턴을 형성하는 단계는, 적어도 두 개 이상의 풀 리본(full ribbons)이 각 풀 리본의 중앙 부분에서 교차되어 일체로 제조되기 위한 형상 패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법에 의해 생성되는 리본은, 임팻 다이오드(IMPATT diode) 패키지 또는 건 다이오드(Gunn diode) 패키지에 이용되는 리본인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 도금용 시드를 적층하는 단계에서는, 상기 도금용 시드에 티타늄(Ti)이 접착용 금속으로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 기판을 제거하는 단계에서는 습식 식각 또는 건식 식각 방법으로 기판을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지용 리본 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.