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고광전도 박막

  • 기술번호 : KST2015154978
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고광전도 박막이 개시된다. 고광전도 박막은 Cd1-xSxHy(0.4≤x≤0.6, y(H2/(H2+Ar))≤0.5) 조성을 갖고, 근 적외선 영역부터 가시광선 영역인 1.2 eV 내지 2.8 eV의 에너지 준위를 갖는 광을 흡수한다. 상기와 같은 고광전도 박막에 따르면, 유연하면서도 높은 광전도 및 광민감도를 가진다. 특히, 이러한 고광전도 박막은 전자파 차폐 또는 투과를 임의로 선택할 수 있는 장점이 있다. 고광전도, 박막, 스퍼터링, 폴리머, 황화 카드뮴
Int. CL H01L 31/0296 (2006.01)
CPC H01L 31/0296(2013.01) H01L 31/0296(2013.01) H01L 31/0296(2013.01)
출원번호/일자 1020090092781 (2009.09.30)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1063301-0000 (2011.09.01)
공개번호/일자 10-2011-0035172 (2011.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대한민국 대전광역시 서구
2 김근홍 대한민국 대전광역시 서구
3 허성기 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0600959-80
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0052968-31
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0223921-16
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0223922-62
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0487041-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cd1-xSxHy(0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 Cd1-xSxHy(0
4 4
제1항에 있어서, 상기 Cd1-xSxHy(0
5 5
제1항에 있어서, 상기 고광전도 박막은, 유연성 기판 위에 RF 스퍼터링(RF sputtering) 기법을 이용하여 증착 제조된 것을 특징으로 하는 고광전도 박막
6 6
제5항에 있어서, 상기 RF 스퍼터링 기법을 이용한 증착시의 인가 압력은, 0
7 7
제5항에 있어서, 상기 RF 스퍼터링 기법을 이용한 증착시의 인가 전력은, 10 와트(W) 내지 300 와트(W) 범위의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 고광전도 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.