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플렉서블 고분자 전극 조성물 및 이를 이용한 고분자 작동기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015155038
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블 고분자 전극 조성물 및 이를 사용한 고분자 작동기(폴리머 액추에이터, polymer actuator)의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 작동 내구성 및 안정성이 향상될 수 있도록 연속적인 용액 캐스팅법(consecutive solution recasting)을 이용하여 전도성 충전제가 포함된 플렉서블 고분자 전극층, 이온 전도성 고분자 층 그리고 다시 플렉서블 고분자 전극층을 순차적으로 형성시킴으로써 내구성이 우수한 고분자 작동기의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) H01B 1/24 (2006.01)
CPC H01B 1/124(2013.01) H01B 1/124(2013.01) H01B 1/124(2013.01) H01B 1/124(2013.01) H01B 1/124(2013.01)
출원번호/일자 1020100005270 (2010.01.20)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0085467 (2011.07.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유영태 대한민국 서울특별시 광진구
2 문광길 대한민국 서울특별시 광진구
3 이장우 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0039124-93
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2010.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0007200-64
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0044360-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0554575-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0892160-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0892161-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0233140-35
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 물질 10~30중량% 및 물과 알코올의 혼합용매 70~90중량%를 포함하여 이루어지는 고분자 물질 용액 100중량부에 대하여 전도성 충전제 2
2 2
제 1항에 있어서, 상기 고분자 물질은 나피온, 플레미온 및 아시플렉스로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 작동기용 플렉서블 고분자 전극 조성물
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 충전제는 탄소나노튜브, 폴리피롤, 폴리아닐린 및 폴리티오펜으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 작동기용 플렉서블 고분자 전극 조성물
4 4
다음의 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 작동기의 제조방법:(1) 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 고분자 전극 조성물 용액을 몰드에 캐스팅하여 플렉서블 고분자 전극층을 형성하는 단계;(2) 상기 단계(1)의 고분자 전극층 위에 고분자 전해질 용액을 캐스팅하여 고분자 전해질 층을 형성하는 단계;(3) 상기 단계(2)의 고분자 전해질 층 위에 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 고분자 전극 용액을 캐스팅하여 플렉서블 고분자 전극층을 형성하는 단계; 및(4) 상기 단계(3)의 결과물을 70~150℃ 온도에서 0
5 5
제 4항에 있어서, 상기 (1)단계 후 상기 (2)단계 전에 상기 (1)단계에서 형성되는 고분자 전극층을 건조시키는 단계와, 상기 (2)단계 후 상기 (3)단계 전에 상기 (2)단계에서 형성되는 고분자 전해질층을 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 작동기의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 각 건조단계는 20~70℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 작동기의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 (2)단계와 (3)단계에서, 각 용액을 캐스팅하는 시점은 전 단계의 건조 중인 층이 완전히 건조되기 전에 점도가 500~5000cP일 때 캐스팅하는 것을 특징으로 하는 고분자 작동기의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.