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다공성 SiOC 박막과,상기 다공성 SiOC 박막의 기공 내에 담지된 리튬 공융염을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해질 분리판
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제1항에 있어서, 상기 리튬 공융염은 LiCl-LiBr-LiF인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판
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제1항에 있어서, 상기 다공성 SiOC 박막의 기공의 평균 크기는 50 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판
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제1항에 있어서, 상기 다공성 SiOC 박막의 기공률은 90% 이상인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판
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제1항에 있어서, 상기 다공성 SiOC 박막은 디스크형 또는 원기둥형인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판
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양극, 음극 및 전해질 분리판을 구비하며,상기 전해질 분리판은,다공성 SiOC 박막과,상기 다공성 SiOC 박막의 기공 내에 담지된 리튬 공융염을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전지
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7
(a) 다공성 SiOC 박막에 전해질 분말을 도포하는 단계;(b) 상기 전해질 분말이 도포된 다공성 SiOC 박막을 가열하여 상기 전해질 분말을 용융시켜 전해질 용융물을 형성하는 단계; 및(c) 상기 전해질 용융물을 상기 다공성 SiOC 박막의 기공 내에 담지시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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(a) 다공성 SiOC 박막에 전해질 분말을 도포하는 단계;(b) 상기 전해질 분말이 도포된 다공성 SiOC 박막을 가열하여 상기 전해질 분말을 용융시키고, 용융물을 상기 다공성 SiOC 박막의 기공 내에 담지시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 전해질 분말은 리튬 공융염 분말인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제9항에 있어서, 리튬 공융염은 LiCl-LiBr-LiF인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 다공성 SiOC 박막의 기공의 평균 크기는 50 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 다공성 SiOC 박막의 기공률은 90% 이상인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 다공성 SiOC 박막은 디스크형 또는 원기둥형인 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 단계 (a) 이전에,(a') 상기 전해질 분말을 밀링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 가열은 300 - 500℃에서 이루어지는 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 담지는 진공 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해질 분리판의 제조방법
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