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집적광학소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015155272
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 주파수 응답 특성을 갖는 집적광학소자의 제조방법에 관한 것이다. 고온에서 이루어지는 광도파로 형성 공정에서 기판 표면에 불순물 오염 및 격자결함이 발생하여 집적광학소자의 주파수 응답 특성이 저하된다. 기존의 플라즈마 건식과 달리, 본 발명에서는 연마에 의해 기판 표면을 깎아내기 때문에 후공정에 필요한 마스크 키가 훼손되지 않아 광도파로 손실 증가의 문제를 피할 수 있다. 따라서, 주파수 응답 특성이 탁월하고, DC 드리프트(drift) 현상이 현저히 감소된 우수한 전기광학 특성의 집적광학소자를 제조할 수 있다.
Int. CL G02B 6/30 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1020060043152 (2006.05.12)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0766413-0000 (2007.10.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안준은 대한민국 대전 유성구
2 조민식 대한민국 대전 유성구
3 전창배 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0334732-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032115-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0354035-36
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0612573-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0612570-80
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0527785-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
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번호 청구항
1 1
기판의 저면에 마스크 키를 형성하는 단계;상기 기판 위에 양자교환 확산방지막을 형성하고, 상기 마스크 키를 이용하여 광도파로가 형성될 영역을 정의하는 단계;상기 확산방지막에 의해 정의된 기판 부분에 양자교환에 의해 광도파로를 형성하는 단계;상기 확산방지막을 제거하는 단계;상기 기판의 상면을 연마하여 상기 광도파로 영역에 생긴 격자결함을 제거하는 단계; 및상기 마스크 키를 이용하여 상기 기판 상면의 광도파로 주변에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 마스크 키에의 정합은 양면 마스크 얼라이너(dual-side mask aligner)를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직접광학소자의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 연마 공정시 전 단계에서 제거되지 않은 확산방지막도 함께 제거하는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법
4 4
기판 상면의 일부분에 하기 연마 공정에서 식각할 깊이보다 더 깊게 형성한 좁은 영역 안에 마스크 키를 형성하는 단계;상기 기판 위에 양자교환 확산방지막을 형성하고, 상기 마스크 키를 이용하여 광도파로가 형성될 영역을 정의하는 단계;상기 확산방지막에 의해 정의된 기판 부분에 양자교환에 의해 광도파로를 형성하는 단계;상기 확산방지막을 제거하는 단계;상기 광도파로 영역에 생긴 격자결함을 연마 공정에 의해 제거하는 단계; 및상기 마스크 키를 이용하여 상기 기판 상면의 광도파로 주변에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법
5 5
기판 상면의 가장자리 부분에 마스크 키를 형성하는 단계;상기 기판 위에 양자교환 확산방지막을 형성하고, 상기 마스크 키를 이용하여 광도파로가 형성될 영역을 정의하는 단계;상기 확산방지막에 의해 정의된 기판 부분에 양자교환에 의해 광도파로를 형성하는 단계;상기 확산방지막을 제거하는 단계;상기 기판 상면의 면적보다 좁은 면적을 가짐으로써 상기 마스크 키와 접촉하지 않는 연마 치공구를 사용하여 상기 광도파로 영역에 생긴 격자결함을 제거하는 단계; 및상기 마스크 키를 이용하여 상기 기판 상면의 광도파로 주변에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적광학소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.