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다음의 화학식 1로 표현되는 단량체 X와 화학식 2로 표현되는 단량체 Y를 공중합 반응시켜서 얻어지는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 10,000,000이고 가용성인 전기전도성 고분자:[화학식 1][화학식 2]식 중, Z는 이민기 또는 비닐기이고, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로, 수소, 하이드록시기, 할로겐 원자, 할라이드, 탄소수 50 이내의 알킬기, 알콕시기, 알킬 카르복시기, 일킬에스테르기, 알킬하이드록시기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 옥시할로알킬기, 니트로알킬기, 시아노할로일킬기, 아릴기, 옥시아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 옥시할로알킬아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기, 및 시아노할로알킬아릴기로 이루어진 군 중에서 선택됨
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제1항에 있어서, 다음 화학식 3으로 표시되는 전기전도성 고분자:[화학식 3]상기 식 중, 이고,이며,Z는 이민기 또는 비닐기이고, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로, 수소, 하이드록시기, 할로겐 원자, 할라이드, 탄소수 50 이내의 알킬기, 알콕시기, 알킬 카르복시기, 일킬에스테르기, 알킬하이드록시기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 옥시할로알킬기, 니트로알킬기, 시아노할로일킬기, 아릴기, 옥시아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 옥시할로알킬아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기, 및 시아노할로알킬아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,m은 몰분률로서, 0 ≤m ≤1
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제 2 항에 있어서, 단량체 X와 단량체 Y가 0
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삭제
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 전기전도성 고분자 및 상기 고분자가 용해된 염기성 용액에 철염을 용해시켜서 얻은 입자 크기 0
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제 5 항에 있어서, 상기 철염을 황산철, 염화제일철, 염화제이철, 펜타카보닐철 및 아세트산철로 이루어진 군 중에서 선택하여 사용함으로써 얻어지는 자기특성 산화철 나노입자를 포함하는 나노복합체
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7
제 5 항에 있어서, 상기 염기성 용액으로서 무기 또는 유기 염기 화합물의 수용액을 사용하여 얻어지는 자기특성 산화철 나노입자를 포함하는 나노복합체
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8
제 7 항에 있어서, 상기 염기성 용액을 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수 및 탄산나트륨 용액으로 이루어진 군 중에서 선택하여 사용함으로써 얻어지는 자기특성 산화철 나노입자를 포함하는 나노복합체
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(i) 다음의 화학식 1의 단량체 X 또는 화학식 2의 단량체 Y를 산 또는 유기용매 및 촉매의 존재하에서 공중합시켜서 중량 평균 분자량이 1,000 내지 10,000,000의 전기전도성 고분자를 얻는 단계:[화학식 1] 이고,[화학식 2] 이며,(식 중, Z는 이민기 또는 비닐기이고, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로, 수소, 하이드록시기, 할로겐 원자, 할라이드, 탄소수 50 이내의 알킬기, 알콕시기, 알킬 카르복시기, 일킬에스테르기, 알킬하이드록시기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 옥시할로알킬기, 니트로알킬기, 시아노할로일킬기, 아릴기, 옥시아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 옥시할로알킬아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기, 및 시아노할로알킬아릴기로 이루어진 군 중에서 선택됨); 및 (ii) 철염을 상기 단계 (i)에서 제조된 전기전도 고분자가 용해된 염기성 용액에 용해시켜서 입자 크기가 0
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10
제 9 항에 있어서, 상기 단계 (i)을 산 또는 유기 용매 및 촉매를 사용하여 다음의 단량체 X와 단량체 Y를 공중합시킴으로써, 다음의 화학식 3으로 표현되며, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 10,000,000인, 전기전도성 고분자를 제조함으로써 수행하는 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 화학식 1의 단량체 X와 화학식 2의 단량체 Y를 0
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삭제
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합 반응의 용매를 염산, 인산, 질산, 도데실벤젠술폰산, 켐포술폰산, 술포살리실산, 톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 술페믹산, 나프탈렌술폰산, 디메틸술페이트, 디에틸술페이트 디프로필술페이트, 디(2-에틸헥실)술포숙시네이트, 4-술포프탈산, 말론산, 클로로포름 및 메틸렌클로라이드로 이루어진 군 중에서 선택하여 사용하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합 촉매로서 암모늄퍼설페이트, 염화제이철, 염화제이구리, 불화붕소화구리(II), 염화산화구리(II) 및 중크롬산칼륨으로 이루어진 군 중에서 선택된 산화제를 사용하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (ii)의 염기성 용액을 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수 및 탄산나트륨 용액으로 이루어진 군 중에서 선택하여 사용하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (i)를 -20 내지 5 ℃ 범위의 반응온도에서 수행하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (i)의 촉매를 0
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (i)의 반응시간을 12 내지 24 시간으로 하여 수행하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (ii)의 염기성 용액의 pH가 7
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (ii)를 -40 ℃내지 200 ℃의 반응온도에서 수행하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (ii)를 0
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (ii)를 반응시간을 7 일 이내로 하여 수행하는 방법
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제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 얻어진 자기특성 산화철 나노입자와 전기전도성 고분자 나노복합체를 산성 수용액이나 유기용매에서 산, 염 및 요오드로 이루어진 군 중에서 선택되는 도핑제를 사용하여 도핑하는 단계를 추가적으로 포함하는 방법
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제 23 항에 있어서, 상기 도핑제로서 황산, 염산, 인산, 질산, 도데실벤젠술폰산, 켐포술폰산, 술포살리실산, 톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 술페믹산, 나프탈렌술폰산, 디메틸술페이트, 디에틸술페이트 디프로필술페이트, 디(2-에틸헥실)술포숙시네이트, 4-술포프탈산, 말론산, 클로로포름, 메틸렌클로라이드 엔메틸피롤디니온 및 메타크레졸로 이루어진 군 중에서 한 가지 이상을 선택하여 사용하는 방법
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제 23 항에 있어서, 상기 도핑제로서 황산, 염산, 인산, 질산, 도데실벤젠술폰산, 켐포술폰산, 술포살리실산, 톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 술페믹산, 나프탈렌술폰산, 디메틸술페이트, 디에틸술페이트 디프로필술페이트, 디(2-에틸헥실)술포숙시네이트, 4-술포프탈산, 말론산, 클로로포름, 메틸렌클로라이드 엔메틸피롤디니온 및 메타크레졸로 이루어진 군 중에서 한 가지 이상을 선택하여 사용하는 방법
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