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핀다이오드 및 핀다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015155275
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래의 핀다이오드에 있어서, GaAs 기판과, 상기 GaAs 기판상부에 분자선 에피덱시방법으로 저온 성장된 저온 GaAs 버퍼층과, 상기 저온 GaAs버퍼층의 상부에 수개의 AlGaAs층과 GaAs층이 번갈아 형성된 초격자 버퍼층과, 상기 초격자 버퍼층의 상부에 형성된 N형 GaAs층과, 상기 N형 GaAs층의 상부에 형성된 I형 GaAs층과, 상기 I형 GaAs층의 상부에 형성된 P형 GaAs층을 포함하여 구성되어 기생 PN다이오드를 통한 누설 전류를 감소시킴으로서 저손실 고전력용 핀다이오드를 제공한다. 핀다이오드, PIN DIODE
Int. CL H01L 29/868 (2006.01)
CPC H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01) H01L 29/868(2013.01)
출원번호/일자 1020020023784 (2002.04.30)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0429388-0000 (2004.04.16)
공개번호/일자 10-2003-0085379 (2003.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20040429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정명득 대한민국 대전광역시서구
2 우병일 대한민국 대전광역시서구
3 정해원 대한민국 대전광역시서구
4 김종명 대한민국 대전광역시유성구
5 김기철 대한민국 경기도수원시팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0133149-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0002083-10
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0119984-24
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

GaAs 기판과;

상기 GaAs 기판상부에 분자선 에피덱시방법으로 저온 성장된 저온 GaAs 버퍼층과;

상기 저온 GaAs 버퍼층의 상부에 형성된 N형 GaAs층과;

상기 N형 GaAs층의 상부에 형성된 I형 GaAs층과;

상기 I형 GaAs층의 상부에 형성된 P형 GaAs층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 핀다이오드

2 2

GaAs 기판과;

상기 GaAs 기판의 상부에 수개의 AlGaAs층과 GaAs층이 번갈아 형성된 초격자 버퍼층과;

상기 초격자 버퍼층의 상부에 형성된 N형 GaAs층과;

상기 N형 GaAs층의 상부에 형성된 I형 GaAs층과;

상기 I형 GaAs층의 상부에 형성된 P형 GaAs층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 핀다이오드

3 3

GaAs 기판과;

상기 GaAs 기판상부에 분자선 에피덱시방법으로 저온 성장된 저온 GaAs 버퍼층과;

상기 저온 GaAs버퍼층의 상부에 수개의 AlGaAs층과 GaAs층이 번갈아 형성된 초격자 버퍼층과;

상기 초격자 버퍼층의 상부에 형성된 N형 GaAs층과;

상기 N형 GaAs층의 상부에 형성된 I형 GaAs층과;

상기 I형 GaAs층의 상부에 형성된 P형 GaAs층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 핀다이오드

4 4

GaAs기판을 구비하는 단계와;

상기 GaAs기판의 상부에 분자선 에피덱시방법을 이용하여 저온 GaAs 버퍼층을 성장하는 단계와;

상기 저온 GaAs 버퍼층의 상부에 N형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 N형 GaAs층의 상부에 I형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 I형 GaAs층의 상부에 P형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 핀다이오드 제조방법

5 5

GaAs기판을 구비하는 단계와;

상기 GaAs기판의 상부에 수개의 AlGaAs층과 GaAs층이 번갈아 형성된 초격자 버퍼층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 초격자 버퍼층의 상부에 N형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 N형 GaAs층의 상부에 I형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 I형 GaAs층의 상부에 P형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 핀다이오드 제조방법

6 6

GaAs기판을 구비하는 단계와;

상기 GaAs기판의 상부에 분자선 에피덱시방법을 이용하여 저온 GaAs 버퍼층을 성장하는 단계와;

상기 저온 GaAs 버퍼층의 상부에 수개의 AlGaAs층과 GaAs층이 번갈아 형성된 초격자 버퍼층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 초격자 버퍼층의 상부에 N형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 N형 GaAs층의 상부에 I형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계와;

상기 I형 GaAs층의 상부에 P형 GaAs층을 에피택셜 성장하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 핀다이오드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.