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전원이 인가되는 소스-드레인 전극;상기 소스-드레인 전극이 형성된 기판;상기 기판상에서 상기 전극들 사이에 단일 탄소나노튜브를 소재로 함유하는 감지막을 포함하며,상기 전극들은 팔라듐(Pd) 금속을 소재로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물(Organophosphorus Compound) 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 전극 패턴들은 포토리소그래피법(photolithography)과 리프트 오프법(lift-off)을 조합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 두께는 각각 100㎚ 이내이고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 간격은 8㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 감지막에서의 단일 탄소나노튜브는 드롭 캐스팅(drop-casting) 방법으로 분산된 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 감지막에서의 단일 탄소나노튜브는 증류수를 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서
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제1항에 있어서,상기 전극들과 상기 기판 사이에는 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어지는 절연층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서
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절연층이 상면에 형성된 실리콘 기판을 형성하는 단계;상기 기판에 전극을 구성하기 위한 팔라듐(Pd) 금속을 증착하는 단계;상기 팔라듐 금속 상에 감광성 물질을 도포한 후 포토리소그래피법과 리프트 오프법을 조합하여 패터닝(patterning) 하는 단계;상기 팔라듐 금속을 에칭(etching)하여 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판상에서 상기 전극 사이에 단일 탄소나노튜브를 소재로 함유하는 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 두께는 각각 100㎚ 이내이고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 간격은 8㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 감지막에서의 단일 탄소나노튜브는 드롭 캐스팅(drop-casting) 방법으로 분산된 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 감지막에서의 단일 탄소나노튜브는 증류수를 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서 제조방법
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제7항에 있어서,상기 절연층은 산화 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 센서 제조방법
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전원을 공급하는 전원부;제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 가스 감지 센서로 이루어진 센싱부;상기 전원부에서 전원이 공급되면 상기 센싱부의 동작을 구동시키는 구동부;상기 센싱부에서 검출된 전류의 크기로부터 계산된 저항값으로부터 감도(sensitivity)를 계산하고 기준 감도와 비교함으로서 유기인 화합물 가스 감지 여부를 판단하는 판단부; 및상기 판단부에서의 결과를 문자 또는 소정의 방법으로 표시하는 표시부를 포함하며,상기 감도는 하기 수식에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 장치
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전원을 공급하는 단계;상기 공급된 전원으로 구동부를 통하여 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 가스 감지 센서로 이루어진 센싱부의 동작을 구동시키는 단계;상기 센싱부의 초기 저항으로부터 초기화 상태의 기준 감도를 설정하는 단계;상기 센싱부의 전극간 흐르는 전류의 크기로부터 계산된 저항값으로부터 현재 감도를 계산하는 단계;상기 현재 감도와 상기 기준 감도를 비교하여, 상기 현재 감도가 상기 기준 감도보다 높은 경우 유기인 화합물 가스가 감지되었음을 표시하는 단계를 포함하며,상기 기준 감도 및 현재 감도는 하기 수식에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 유기인 화합물 가스 감지 장치
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