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표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부;신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부; 및상기 표적 충돌 시까지 상기 신관전원을 이용하여 충전하고, 상기 표적 충돌 이후에 충전 전압이 임계 값에 도달할 때까지 일정한 전원을 상기 신호처리회로부에 공급하는 전원저장장치회로부를 포함하는 기폭장치
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제1 항에 있어서, 상기 전원저장장치회로부는,상기 표적 충돌 시까지 상기 신관전원을 이용하여 충전하는 울트라 커패시터;상기 표적 충돌 이후에 충전 전압이 임계 값에 도달할 때까지 일정한 전원을 상기 신호처리회로부에 공급하는 DC/DC 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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제2 항에 있어서, 상기 전원저장장치회로부는,상기 신관 전원을 상기 DC/DC 변환기의 입력단에 인가하는 제1 다이오드; 및상기 울트라 커패시터의 전원을 상기 DC/DC 변환기의 입력단에 인가하는 제2 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부;신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부;전원이 인가된 상태에서, 상기 신호처리회로부에서 발생한 상기 표적 탐지 신호를 상기 기폭장치회로부에 전송하는 커플러회로부; 및상기 신호처리회로부에 인가되는 전원의 크기가 임계 값보다 낮을 때 상기 커플러회로부에 공급되는 상기 전원을 차단하는 잡음차단회로부를 포함하는 기폭장치
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제4 항에 있어서, 상기 신호처리회로부는,상기 표적 충돌 및 표적을 감지하는 원칩 컨트롤러;상기 원칩 컨트롤러에 인가되는 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 원칩 컨트롤러를 초기화하는 초기화회로; 및상기 원칩 컨트롤러를 보호하고, 상기 커플러회로부를 구동하는 버퍼회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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제5 항에 있어서, 상기 잡음차단회로부는,상기 원칩 컨트롤러에 인가되는 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 초기화회로부의 출력 신호를 이용하여 상기 커플러 회로에 인가되는 전원을 차단하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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제6 항에 있어서, 상기 잡음차단회로부는,상기 버퍼회로로부터 수신한 상기 표적 탐지 신호를 상기 커플러회로부에 전송하는 제1 트랜지스터; 및상기 원칩 컨트롤러에 인가되는 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 초기화회로부의 출력 신호에 반응하여 상기 커플러회로에 인가되는 전원을 차단하는 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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제4 항에 있어서, 상기 신관 전원의 크기가 임계 값 보다 낮을 때 상기 커플러회로부에 의해 잡음 펄스가 발생하지 않도록 상기 신관 전원을 저장하였다가 상기 기폭장치회로부에 공급하는 전원저장장치회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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제8 항에 있어서, 상기 전원저장장치회로부는,상기 기폭장치회로부의 커패시터보다 자연 방전 시간이 긴 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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표적 충돌 및 표적을 감지하여 표적 탐지 신호를 발생하는 신호처리회로부; 및신관 전원을 저장하고, 상기 저장된 신관 전원을 상기 표적 탐지 신호에 따라 기폭관에 인가하여 상기 기폭관을 점화시키는 기폭장치회로부를 포함하고,상기 기폭장치회로부는,상기 기폭장치회로부의 입력단에 인가되는 펄스 폭 동안만 턴 온 상태를 유지하는 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 기폭장치
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제10 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는,금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET; MOS field-effect transistor)인 것을 특징으로 하는 기폭장치
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