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임펄스 전압이 입력되는 입력단(L1, N1), 상기 입력단에 연결되어 전류를 제한하는 공통 인덕터(CM Inductor), 상기 공통 인덕터의 2차 측에 연결되어 잔류전류를 감소시키는 EMI 필터회로, 상기 EMI 필터회로에 연결되어 있는 출력단(L2, N2),선간 L1-M1에 GDT1-MOV1,C1이 각각 병렬로 연결되고, 선간 M1-N1에 MOV2-GDT2,C2가 각각 병렬로 연결되며, 선간 M1-M2에 GDT3가 직렬로 연결되는 구성을 포함하고,상기 입력단(L1 또는 N1)에 서지가 입력될 시에, 서지보호소자인 GDT1-MOV1-GDT3 또는 GDT2-MOV2-GDT3가 직렬로 연결됨으로써 상기 입력단과 연결된 선-접지간(L1-G 또는 N1-G)을 통하여 각각 서지를 방류시키며, 상기 GDT1-GDT3 또는 GDT2-GDT3가 서지에 의해 동작하게 될 때 발생되는 속류를 MOV1 또는 MOV2가 차단하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,상기 GDT1-MOV1, MOV2-GDT2, GDT3에, 500KΩ 저항 R1, R2, R3 를 각각 병렬로 접속하여 이를 이용한 분압회로를 사용함으로써, 일시 과전압 발생 시 과전압이 직렬로 연결된 보호소자들에 균등하게 인가되어 과전압이 서지보호소자들의 동작전압 이하가 되게 함으로써 과전압에 의해 서지보호소자가 동작하지 않고, 선-접지간(L1-G, N1-G) 고전압(1kV 이상)을 발생시키는 고고도 전자기 펄스(HEMP)에 의한 서지에 대해서만 동작하도록 구성된 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT1 와 MOV1에 인가되며, 이 때 GDT1의 기생 커패시턴스 CGDT1와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV1의 기생 커패시턴스 CMOV1와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT1에 서지 전압이 인가되어 GDT1가 동작하고, 이 후 MOV1가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT1-MOV1의 순서로 순차적으로 동작할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT3가 가지는 기생 커패시턴스 성분 CGDT3(C1 또는 C2보다 낮은 값)과 C1 또는 C2 간의 커패시터 분압비에 의해 GDT3에 서지 전압이 인가되어 GDT3가 먼저 동작하고, GDT3가 동작하면, GDT3가 단락회로를 형성하여, 서지 전압은 GDT2 와 MOV2에 인가되며, 이 때 GDT2의 기생 커패시턴스 CGDT2와 GDT 소자의 기생 커패시턴스 값보다 높은 값을 가지는 MOV2의 기생 커패시턴스 CMOV2와의 커패시터 분압 비에 의해 GDT2에 서지 전압이 인가되어 GDT2가 동작하고, 이 후 MOV2가 동작함으로써 직렬로 연결된 방호소자들이 GDT3-GDT2-MOV2의 순서로 순차적으로 동작할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 2 항에 있어서,고주파수의 서지 전압 인가 시, R1-C1, R2-C2, R3-CGDT3로 병렬 연결된 각 단의 전체 임피던스는 C1, C2, CGDT3의 임피던스 값이 전체 임피던스 값이 되므로, 서지전압에 대한 분압 비는 저항이 아닌 커패시터에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,고주파수의 서지 전압 인가 시 상기 공통모드 인덕터의 임피던스가 커지게 되므로 서지 전압이 공통모드 뒷단으로 가지 않고, 서지 보호소자에 인가되도록 하며, 공통모드 인덕터는 서지 보호소자를 통과한 서지전류를 제한하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,저주파 통과대역을 가지는 상기 EMI 필터회로는 펄스 전류 보호회로를 통과한 서지 잔류전류의 고주파성분을 제거하여 잔류전류를 낮추는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,상기 전원선로 방호장치는, 서지가 상기 선-접지간 L1-G에 인가될 때, GDT1-MOV1에 병렬 연결된 커패시터 C1 와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 GDT1, MOV1가 순차적으로 동작하는 구성을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,상기 전원선로 방호장치는,서지가 상기 선-접지간 N1-G에 인가될 때, GDT2-MOV2에 병렬 연결된 커패시터 C2와 CGDT3의 분압 비에 의해 우선적으로 GDT3가 동작하고, 그 후 GDT2, MOV2가 순차적으로 동작하는 구성을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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제 1 항에 있어서,상기 전원선로 방호장치는, HEMP의 서지전류에 대해 안전하게 기기를 보호하는 방호장치인 것을 특징으로 하는 고고도 전자기 펄스 대책용 전원선로 방호장치
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