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MEMS 공진기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015155705
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 기판에 공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격되는 공진기 외곽구조를 갖는 실리콘 공진기 구조를 형성하는 실리콘 기판 공정단계;와, 상기 실리콘 공진기 구조가 형성된 실리콘 기판에 석영 기판을 접합하는 단계;와, 상기 석영 기판을 패터닝하여 상기 공동부를 가로질러 상기 실리콘 공진기 질량체와 상기 실리콘 공진기 외곽구조를 연결하는 빔형상 탄성부를 형성하는 석영기판 공정단계; 및 상기 실리콘 기판의 이면으로부터 상기 공동부가 개방되도록 식각공정과 CMP 공정을 수행하는 추가공정단계;를 구비하는 MEMS 공진기의 제조방법 및 MEMS 공진기를 개시한다.
Int. CL B81C 1/00 (2006.01) H01P 7/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120020757 (2012.02.29)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1280349-0000 (2013.06.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임근배 대한민국 경북 포항시 남구
2 성중우 대한민국 경북 포항시 남구
3 석세영 대한민국 경북 포항시 남구
4 이상우 대한민국 대전광역시 유성우체국 사

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0166320-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0083766-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0739162-63
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0070309-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0070308-73
7 등록결정서
Decision to grant
2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0414704-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판에 공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격되는 공진기 외곽구조를 갖는 실리콘 공진기 구조를 형성하는 실리콘 기판 공정단계;상기 실리콘 공진기 구조가 형성된 실리콘 기판에 석영 기판을 접합하는 단계;상기 석영 기판을 패터닝하여 상기 공동부를 가로질러 상기 실리콘 공진기 질량체와 상기 실리콘 공진기 외곽구조를 연결하는 빔형상 탄성부를 형성하는 석영기판 공정단계; 및상기 실리콘 기판의 이면으로부터 상기 공동부가 개방되도록 식각공정과 CMP 공정을 수행하는 추가공정단계;를 구비하는 MEMS 공진기의 제조방법
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실리콘 기판에 공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격되는 공진기 외곽구조를 갖는 실리콘 공진기 구조를 형성하는 실리콘 기판 공정단계;상기 실리콘 공진기 구조가 형성된 실리콘 기판에 제1 석영 기판을 접합하는 단계;상기 실리콘 기판의 이면으로부터 상기 공동부가 개방되도록 식각공정과 CMP 공정을 수행하는 추가공정단계;상기 실리콘 기판의 이면에 제2 석영 기판을 접합하는 단계; 및상기 제1 석영 기판과 제2 석영 기판을 순차로 패터닝하여 상기 공동부를 가로질러 상기 실리콘 공진기 질량체와 상기 실리콘 공진기 외곽구조를 연결하는 상부 빔형상 탄성부 및 하부 빔형상 탄성부를 형성하는 석영기판 공정단계;를 구비하는 MEMS 공진기의 제조방법
3 3
실리콘 기판에 공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격되는 공진기 외곽구조를 갖는 실리콘 공진기 구조를 형성하는 실리콘 기판 공정단계;포토레지스트 패턴막을 이용하여 석영기판 위에 상기 공진기 질량체와 상기 공진기 외곽구조를 전기적으로 연결할 금속박막 패턴을 형성하는 단계;상기 석영 기판의 금속박막 패턴이 상기 공동부를 가로질러 상기 공진기 질량체와 상기 공진기 외곽구조를 전기적으로 연결하도록 상기 실리콘 기판과 정렬한 상태로 상기 석영 기판과 상기 실리콘 기판을 접합하는 단계;석영 기판을 패터닝하여 상기 금속박막 패턴을 둘러싸는 석영 빔형상 탄성부를 형성하는 석영기판 공정단계; 및상기 실리콘 기판의 이면으로부터 상기 공동부가 개방되도록 식각공정과 CMP 공정을 수행하는 추가공정단계;를 구비하는 MEMS 공진기의 제조방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 실리콘 기판 공정단계는,상기 실리콘 기판 위에 포토레지스트막을 도포하고 상기 포토레지스트 막을 상기 MEMS 공진기의 평면형상으로 패터닝하고, 건식식각을 수행한 후, 상기 패터닝된 포토레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 건식식각은 심도 반응성 이온식각(DRIE)인 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
6 6
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 접합단계는,상기 실리콘 공진기 구조가 형성된 실리콘 기판 위에 석영 기판을 초기접합시키고, 열처리를 하여 실리콘 기판에 석영 기판을 접합시키는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 초기 접합은 소정의 열과 압력 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 초기접합 전에 상기 실리콘 기판과 석영 기판을 세정하고 O2 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
9 9
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 석영기판 공정단계는,상기 실리콘 기판에 접합된 상기 석영 기판에 화학기계적 연마공정을 수행하고, 이 석영기판 위에 포토레지스트 막을 도포하고 노광공정을 수행하여 상기 석영 기판 위에 석영 MEMS 빔형상 탄성부용 포토레지스트 패턴막을 패터닝한 후, 건식식각 공정을 수행하여 상기 석영 기판을 식각하고, 이어서 상기 포토레지스트 패턴막을 제거하여, 석영 빔형상 탄성부를 형성하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 건식식각 공정은 심도 반응성 이온식각(DRIE)인 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 추가공정단계 이후 또는 이전에, 상기 실리콘 기판의 석영 빔형상 탄성부가 형성된 쪽에 금속박막을 증착하여 전기적으로 실리콘 질량체와 실리콘 외곽구조를 연결하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
12 12
제2항에 있어서,상기 석영 기판 공정단계 이후에,금속박막을 증착하여 전기적으로 실리콘 질량체와 실리콘 외곽구조를 연결하는 것을 특징으로 하는 MEMS 공진기의 제조방법
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공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격된 공진기 외곽구조를 구비하고, 상기 공동부의 일단이 개방된, 실리콘으로 이루어진 공진기 구조; 및 상기 공동부의 타단을 가로질러 상기 공진기 질량체와 상기 공진기 외곽구조에 걸쳐진, 석영으로 이루어진 빔형상 탄성부를 포함하는 MEMS 공진기
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공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격된 공진기 외곽구조를 구비한, 실리콘으로 이루어진 공진기 구조; 상기 공동부의 일단을 가로질러 상기 공진기 질량체와 상기 공진기 외곽구조에 걸쳐진, 석영으로 이루어진 상부 빔형상 탄성부; 및상기 공동부의 타단을 가로질러 상기 공진기 질량체와 상기 공진기 외곽구조에 걸쳐진, 석영으로 이루어진 하부 빔형상 탄성부;를 포함하는 MEMS 공진기
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공진기 질량체와, 공동부를 사이에 두고 상기 공진기 질량체와 이격된 공진기 외곽구조를 구비하고, 상기 공동부의 일단이 개방된, 실리콘으로 이루어진 공진기 구조; 및 상기 공동부의 타단을 가로질러 상기 공진기 질량체와 상기 공진기 외곽구조에 걸쳐진 금속박막; 및상기 금속박막을 덮고 있는, 석영으로 이루어진 빔형상 탄성부를 포함하는 MEMS 공진기
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제13항 또는 제14항에 있어서,상기 빔형상 탄성부 위에 금속 박막이 적층되어 있는 MEMS 공진기
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제13항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 빔형상 탄성부는 복수개인 MEMS 공진기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.