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평판형 메조세공 실리카 주형과, 탄소 전구체로서 단당류 화합물을 함유하는 고상 혼합물을 수득하는 제1 단계; 상기 고상 혼합물을 단계적으로 열처리를 하는 제2 단계; 및 상기 열처리한 고상 혼합물로부터 상기 평판형 메조세공 실리카 주형을 제거하는 제3 단계를 포함하며,상기 평판형 메조세공 실리카는 150 내지 200 nm의 채널 길이를 갖는 6각 평판형(disk-type) 메조세공 실리카인 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단당류 화합물은 포도당(glucose), 과당(fructose), 갈락토스(galactose), 만노스(mannose) 또는 리보스(ribose)인 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고상 혼합물은 평판형 메조세공 실리카 주형과 단당류 화합물을 50~80%의 혼합 중량비로 함유하는 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제2 단계는 단당류 화합물의 끓는 점에서 1차 열처리하는 단계, 및 600℃ 이상의 온도까지 승온하여 2차 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 열처리한 고상 혼합물은 그라파이트 구조(Graphitic structure)의 탄소체를 포함하는 평판형 메조세공 실리카인 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체의 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제3 단계는 불소 이온 제공제인 하이드로 플루오라이드(HF) 또는 수산화나트륨 (NaOH)를 이용하여 상기 메조세공 실리카 주형을 용해하여 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체의 제조방법
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평판형 메조세공 실리카 주형과, 탄소 전구체로서 단당류계 화합물을 함유하는 고상 혼합물을 단계적으로 열처리하여 그라파이트 구조의 탄소체를 형성한 후 상기 평판형 메조세공 실리카 주형을 제거하여 수득되는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체로서,상기 평판형 메조세공 실리카는 150 내지 200 nm의 채널 길이를 갖는 6각 평판형(disk-type) 메조세공 실리카인 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체
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청구항 8에 있어서, 상기 평판형 메조세공 탄소체는 100~300nm의 채널 길이를 갖는 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체
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청구항 8에 있어서, 상기 나노 고에너지 물질은 RDX(Cyclotrimethylenetrinitramine), HMX(High-molecular-weight RDX) 또는 TNT(Trinitrotoluene)인 것을 특징으로 하는, 나노 고에너지 물질 담지체용 평판형 메조세공 탄소체
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