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비접촉식 고온 변형률 측정장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015155984
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기계적 시험 중에 발생하는 시편의 변형률을 비접촉식 광학적 방법으로 측정하는 장치 및 방법을 제공함을 목적으로 한다. 특히, 고온 시험에서 시편의 자체 발광 및 발열로 인하여 정확한 이미지 획득이 곤란한 문제점을 해결하여, 상온에서 3000℃ 까지 단일 시스템으로 시편의 변형률을 효과적으로 측정할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.이를 위해 본 발명에 따른 비접촉식 고온 변형률 측정 방법은, 변형률 측정을 위한 재료의 시편(1)을 장착하여 상기 시편(1)의 온도를 상승시키고, 응력을 가하여 상기 시편(1)을 변형시킬 수 있도록 하는 시편장착부(100)와, 상기 시편장착부(100)에 장착된 상기 시편(1)에 빛을 조사시키는 광원부(200)와, 상기 광원부(200)에서 조사되어 상기 시편(1)에서 반사되어 오는 빛을 이용하여 상기 시편(1)의 이미지를 촬영하는 이미지촬영부(300) 및 상기 이미지촬영부(300)에 수집된 이미지 데이터를 분석하여 재료의 변형률을 계산하는 변형률측정부(400)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 25/02 (2006.01) G01B 11/16 (2006.01)
CPC G01N 25/02(2013.01) G01N 25/02(2013.01) G01N 25/02(2013.01) G01N 25/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130031634 (2013.03.25)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1445239-0000 (2014.09.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이만영 대한민국 경기 파주시 평화로 ***,
2 이재열 대한민국 대전 중구
3 정의경 대한민국 대전 유성구
4 이형익 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0256891-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0026953-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0297081-97
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0600796-07
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0600798-98
8 등록결정서
Decision to grant
2014.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0639876-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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챔버에 시편을 설치하고, 상기 챔버의 내부 공기를 제거하여 진공 상태를 형성한 뒤 상기 챔버 내부에 비활성 가스를 충진시키고, 빛을 조사시키는 단계;상기 시편의 온도를 상승시키고 응력을 가하여 변형시키는 단계;상기 시편으로부터 발생한 빛과 열을 제어할 수 있는 필터를 이용하여 시편 표면의 이미지를 연속적으로 촬영하여 저장하는 단계; 및상기 이미지를 이용하여 시편의 변형률을 계산하는 단계;를 포함하며,상기 필터는 상온에서 섭씨 3000도 까지의 온도범위에서 상기 시편으로부터 발생한 빛과 열을 제어할 수 있는 중성농도필터(neutral density filter)로 구성되되, 상기 시편의 온도와 반비례 관계가 적용되어 계산된 장파장 대역의 빛을 차단하도록 형성되며,상기 장파장 대역의 빛은 아래 수학식 1으로 계산되는 것을 특징으로 하는 비접촉식 고온 변형률 측정방법
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청구항 1에 있어서,상기 이미지 촬영은 5초 이하의 일정한 시간 간격으로 연속 촬영하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 고온 변형률 측정방법
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청구항 1에 있어서,상기 이미지 촬영 시에는 촬영되는 순간의 응력을 함께 기록하여 저장하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 고온 변형률 측정방법
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청구항 1에 있어서,상기 시편의 변형률 계산 시에는 상기 시편 표면의 특정한 2 지점간의 거리를 상기 이미지 상에서 측정하여 계산하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 고온 변형률 측정방법
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청구항 1에 있어서,상기 시편의 변형률은 상기 시편에 응력이 가해지기 전의 2 지점간의 거리에 대한, 상기 시편에 응력이 가해진 후의 동일한 2 지점간의 거리 변화를 백분율로 표현되도록 계산하는 것을 특징으로 하는 비접촉식 고온 변형률 측정방법
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