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고출력 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015156078
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는 주파수 특성의 감소 없이 높은 출력 특성을 갖는 고출력 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 명세서에 개시된 일 실시예에 따른 고출력 트랜지스터는, 기판과; 상기 기판상에 형성되고, 서로 분리된 제1 및 제2 에피층과; 상기 제1 에피층 상에 형성된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과; 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이에 형성된 제1 게이트 전극과; 상기 제2 에피층 상에 형성된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극과; 상기 제2 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극 사이에 형성된 제2 게이트 전극을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7831(2013.01)
출원번호/일자 1020130134144 (2013.11.06)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1378060-0000 (2014.03.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍인표 대한민국 대전광역시 유성구
2 이복형 대한민국 경기도 화성시
3 임병옥 대한민국 서울특별시 강북구
4 최길웅 대한민국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1012896-72
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1011889-84
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0844024-46
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0028950-70
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0028946-97
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0086091-50
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.02.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0185476-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0185473-96
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0173096-07
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0568559-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판과;상기 기판상에 형성되고, 물리적으로 서로 분리된 제1 및 제2 에피층과;상기 제1 에피층 상에 형성된 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극과;상기 제1 에피층 상에 형성되고, 상기 제1 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극 사이에 형성된 제1 게이트 전극과;상기 제2 에피층 상에 형성된 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극과;상기 제2 에피층 상에 형성되고, 상기 제2 소스 전극과 상기 제2 드레인 전극 사이에 형성된 제2 게이트 전극을 포함하며,여기서, 상기 제1 소스 전극, 상기 제1 드레인 전극, 상기 제1 게이트 전극으로 이루어진 제1 트랜지스터와, 상기 제2 소스 전극, 상기 제2 드레인 전극, 상기 제2 게이트 전극으로 이루어진 제2 트랜지스터는 상기 서로 분리된 제1 및 제2 에피층 상에 서로 병렬로 배치되어 한쌍의 트랜지스터를 이루며,상기 제1 소스 전극과 상기 제2 소스 전극은 하나의 공통 소스 전극인 것을 특징으로 하는 고출력 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 에피층은 GaN 기반 에피층인 것을 특징으로 하는 고출력 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 드레인 전극, 상기 제1 게이트 전극, 상기 제2 드레인 전극, 상기 제2 게이트 전극 각각은 다수개로 구성되는 것을 특징으로 하는 고출력 트랜지스터
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