맞춤기술찾기

이전대상기술

광검출 효율이 향상된 실리콘 광증배관 소자

  • 기술번호 : KST2015156122
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 광검출 효율이 향상된 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 대해 개시한다. 마이크로 픽셀은 p 전도성 타입 또는 n 전도성 타입의 실리콘 기판; 기판 위에 형성되는 기판과 동일한 전도성 타입의 에피텍시층; 에피텍시층 내에 형성되는 PN 접합층; 및 PN 접합층에서 발생하는 유효 광전류를 증가시키도록 PN 접합층 위에 실리콘 질화막으로 형성되는 절연층을 포함한다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/101 (2006.01)
CPC G01T 1/248(2013.01)G01T 1/248(2013.01)
출원번호/일자 1020120121290 (2012.10.30)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0055040 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.30)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이직 대한민국 서울 서대문구
2 박일흥 대한민국 서울 서대문구
3 이혜영 대한민국 충북 청원군
4 전진아 대한민국 서울 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0888443-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149868-24
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2013.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-5032660-88
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097407-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0871545-44
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0114722-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0114716-43
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0445212-65
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.07.29 수리 (Accepted) 7-1-2014-0028859-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,상기 마이크로 픽셀은p 전도성 타입 또는 n 전도성 타입의 실리콘 기판;상기 기판 위에 형성되는 상기 기판과 동일한 전도성 타입의 에피텍시층; 상기 에피텍시층 내에 형성되는 PN 접합층; 및 상기 PN 접합층에서 발생하는 유효 광전류를 증가시키도록 상기 PN 접합층 위에 실리콘 질화막으로 형성되는 절연층을 포함하는실리콘 광증배관 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 절연층은 50~200nm의 두께를 가지며 형성되는 실리콘 광증배관 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 PN 접합층은 상기 마이크로 픽셀에 형성되는 전기장이 상기 기판과 수평이 되도록 형성되는 실리콘 광증배관 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 PN 접합층은상기 에피텍시층 내에 1017~1018cm-3의 도핑 농도로 형성되는 상기 기판과 동일한 전도성 타입의 제 1 전도성층; 및상기 제 1 전도성층 위에 1019~1021cm-3의 도핑 농도로 형성되는 상기 기판과 반대인 전도성 타입의 제 2 전도성층을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
5 5
다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,상기 마이크로 픽셀은1012~1016cm-3의 도핑 농도로 형성되는 p 전도성 타입 또는 n 전도성 타입의 실리콘 기판;상기 기판의 도핑 농도와 동일한 도핑 농도로 상기 기판 위에 형성되는 상기 기판과 동일한 전도성 타입의 에피텍시층; 상기 에피텍시층 내에 형성되는 PN 접합층; 및 상기 PN 접합층에서 발생하는 유효 광전류를 증가시키도록 상기 PN 접합층 위에 실리콘 질화막으로 형성되는 절연층을 포함하는실리콘 광증배관 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 차세대광센서 연구실 이화여자대학교 산업협력단 차세대광센서 국방특화 연구실 차세대광센서 연구실