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화합물 반도체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015156388
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화합물 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 소오스, 게이트 및 드레인 전극이 형성된 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 형성된 제1소오스 전극의 소정 부분에서부터 최인접된 제2소오스 전극이 상부 소정 부분에 이르는 지점까지는 덮는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴이 형성되지 않은 제1 및 제2소오스 전극의 일측 가장자리와 기판상에 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 전체 상부에 선택적 증착 방법으로 금속층을 형성하는 단계; 및 에어 브릿지를 형성하기 위하여 불필요한 부분의 금속층, 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0331(2013.01) H01L 21/0331(2013.01)
출원번호/일자 1019960075418 (1996.12.28)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0056154 (1998.09.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.28)
심사청구항수 0

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김송강 대한민국 서울특별시 강북구
2 조현룡 대한민국 경기도 이천시
3 임승무 대한민국 경기도 이천시
4 이덕형 대한민국 경기도 고양시 덕양구
5 임경훈 대한민국 서울특별시 서대문구
6 우병일 대한민국 대전광역시 서구
7 정해원 대한민국 대전광역시 서구
8 정명득 대한민국 대전광역시 서구
9 김종명 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0246811-54
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0246810-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2000-0164549-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2001-0044747-71
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2001.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5353571-93
6 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2001.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5353568-55
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-5099568-08
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-5099613-65
9 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2002.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-5099563-70
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058647-61
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0457759-62
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-5008935-19
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0115458-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소오스, 게이트 및 드레인 전극이 형성된 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계;

상기 기판 상에 형성된 제1소오스 전극의 소정 부분에서부터 최인접된 제2소오스 전극의 상부 소정 부분에 이르는 지점까지를 덮는 제1감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 제1감광막 패턴이 형성되지 않은 제1 및 제2소오스 전극의 일측 가장자리와 기판 상에 제2감광막 패턴을 형성하는 단계;

전체 상부에 선택적 증착 방법으로 금속층을 형성하는 단계; 및 에어 브릿지를 형성하기 위하여 불필요한 부분의 금속층, 제2 및 제1감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1감광막 패턴은 에어 브릿지 패턴인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1감광막 패턴은 AZ4533을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1감광막 패턴을 형성한 후에 베이킹 공정을 추가로 실시하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제2감광막 패턴은 AZ5214를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제2감광막 패턴은 영상 반전 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 불필요한 부분의 금속층, 제2 및 제1감광막 패턴의 제거는 리프트 오프 공정으로 실시하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.