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크로스토크를 감소시키는 실리콘 광증배관 소자

  • 기술번호 : KST2015156409
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 크로스토크를 감소시키는 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 대해 개시한다. 본 발명에서 제안하는 실리콘 광증배관 소자는 마이크로 픽셀들을 전기적으로 서로 분리시키는 다수의 트랜치 구조; 및 트랜치 구조 내부에 채워져 마이크로 픽셀 간의 크로스토크 현상을 감소시키는 충전 물질을 포함한다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/101 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1020120121269 (2012.10.30)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0055029 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이직 대한민국 서울 서대문구
2 박일흥 대한민국 서울 서대문구
3 이혜영 대한민국 충북 청원군
4 전진아 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0888314-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0057842-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0663767-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149868-24
6 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2013.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-5032659-31
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1073087-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1191993-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1191996-37
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0220787-29
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0501912-63
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0501906-99
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0447684-37
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0818396-48
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0818384-01
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0673754-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 마이크로 픽셀로 이루어진 실리콘 광증배관 소자(Silicon Photomultiplier)에 있어서,상기 마이크로 픽셀들을 광학적으로 서로 분리시키는 다수의 트랜치 구조; 및상기 트랜치 구조 내부에 채워져 상기 마이크로 픽셀 간의 크로스토크 현상을 감소시키는 충전 물질을 포함하는 실리콘 광증배관 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 트랜치 구조는 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 따른 식각에 의해 형성되는 실리콘 광증배관 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 트랜치 구조는 일자 구조, U자 구조, V자 구조 중 어느 하나의 형태로 형성되는 실리콘 광증배관 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 충전 물질은 폴리이미드(Polyimide)인 실리콘 광증배관 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 충전 물질은 알루미늄(Al)인 실리콘 광증배관 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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