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적외선 감지소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015156494
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적외선 감지소자 제조방법에 관한 것으로, 투명기판의 상부에 저농도 p형 HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 저농도 p형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 확산방지층을 형성하는 단계와; 수소 플라즈마를 이용하여 수소 이온 및 수소 원자를 상기 노출된 저농도 p형 HgCdTe층으로 확산시켜 저농도 n형 HgCdTe층을 형성하여, p-n접합을 형성하는 단계와; 상기 확산방지층을 제거하고, 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부전면에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층에 콘택홀을 형성하여 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 단계와; 상기 콘택홀 내에서 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부에 각각 접하는 플러그를 형성하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 금속층을 증착하고, 패터닝하여 상기 플러그 각각에 접하며, 상기 절연층의 상부일부에 소정면적으로 위치하는 패드를 형성하는 단계로 구성되어 수소 플라즈마를 사용하여 저농도 p형 HgCdTe층의 일부에 선택적으로 수소 이온 또는 원자를 소정의 깊이로 확산시켜, 저농도 n형 HgCdTe층을 형성함으로써, 그 p-n접합의 계면이 손상되는 것을 방지하여, 누설전류의 발생을 방지하는 효과와 아울러 단순한 공정을 사용하여 제조단가의 상승을 방지함과 아울러 수율을 증가시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020003706 (2002.01.22)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-0429387-0000 (2004.04.16)
공개번호/일자 10-2003-0063540 (2003.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20040429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 대전광역시유성구
2 양기동 대한민국 부산광역시동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0020597-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0041288-86
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0115273-98
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2005-0024313-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
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번호 청구항
1 1

투명기판의 상부에 저농도 p형 HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 저농도 p형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 확산방지층을 형성하는 단계와; 수소 플라즈마를 이용하여 수소 이온 및 수소 원자를 상기 노출된 저농도 p형 HgCdTe층으로 확산시켜 저농도 n형 HgCdTe층을 형성하여, p-n접합을 형성하는 단계와; 상기 확산방지층을 제거하고, 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부전면에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층에 콘택홀을 형성하여 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부일부를 노출시키는 단계와; 상기 콘택홀 내에서 상기 저농도 p형 HgCdTe층과 저농도 n형 HgCdTe층의 상부에 각각 접하는 플러그를 형성하는 단계와; 상기 구조의 상부전면에 금속층을 증착하고, 패터닝하여 상기 플러그 각각에 접하며, 상기 절연층의 상부일부에 소정면적으로 위치하는 패드를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 수소 플라즈마를 이용하여 수소 이온 및 수소 원자를 저농도 p형 HgCdTe층으로 확산시키는 단계는 플라즈마 발생장치에 소스가스로 수소 가스만을 사용하여, 라디오 주파수(RF) 전력을 코일에 인가하여 수소 플라즈마를 생성하는 단계와; 상기 플라즈마 발생장치 내에 확산방지층으로 마스킹된 저농도 p형 HgCdTe층을 소정시간 노출시켜, 그 노출된 저농도 p형 HgCdTe층에 수소 이온 및 원자가 확산되도록 하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

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제 2항에 있어서, 상기 플라즈마 발생장치는 유도 결합 플라즈마 장치를 사용하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

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제 1항에 있어서, 상기 확산방지층은 저농도 p형 HgCdTe층과 접착성이 우수하며, 선택적 식각으로 완전한 제거가 가능한 ZnS, CdTe 또는 CdZnTe 중 선택된 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

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제 1항에 있어서, 상기 저농도 p형 HgCdTe층은 수소 이온 및 수소 원자의 확산이 용이하도록 Hg 빈자리 도핑된 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

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제 1항에 있어서, 상기 저농도 p형 HgCdTe층에 접하는 플러그는 Au이며, 상기 저농도 n형 HgCdTe층에 접하는 플러그는 In인 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

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제 1항에 있어서, 상기 패드는 Ni과 In의 적층구조 또는 Ni과 Au의 적층구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지소자 제조방법

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1 US6815250 US 미국 DOCDBFAMILY
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