| 1 |
1
InP Gunn 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법에 있어서,패터닝된 포토레지스트층이 상면에 형성되는 InP 웨이퍼를 준비하는 웨이퍼 준비 단계;상기 InP 웨이퍼상에 건식 식각을 수행하여 상기 InP 웨이퍼와 상기 패터닝된 포토레지스트층 사이에 측벽이 형성되는 건식 식각 단계; 및 건식 식각이 수행된 InP 웨이퍼상에 습식 식각을 수행하여 상기 측벽의 표면에 형성된 스컴 재증착층을 제거하는 습식 식각 단계;를 포함하되,상기 습식 식각 단계는, 상기 InP 웨이퍼를 FeCl3 용액에 담근 후 자외선을 조사하는 단계; Br3 : HBr : H2 용액으로 상기 InP 웨이퍼상에 스컴 재증착층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 건식 식각 단계는, 스퍼터링 식각, 리액티브 래디컬 식각(Reactive Radical Etching), 리액티브 이온 식각(Reactive Ion Etching), Cl2 가스 기반의 ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) 중 어느 하나를 이용하여 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 건 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 Br3 : HBr : H2 용액은 1 : 18 : 81의 비율인 것을 특징으로 하는 건 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 측벽은 메사(MESA) 구조인 것을 특징으로 하는 건 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 건식 식각은 딥 식각(deep etching)인 것을 특징으로 하는 건 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 습식 식각은 다수 회 반복되는 것을 특징으로 하는 건 다이오드 제작을 위한 건습식 병행 식각 공정 방법
|
