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반도체 기판과 상기 반도체 기판상에 형성된 에너지 밴드갭이 크고, 도전형이 n형인 N-HgCdTe층과 상기 N-HgCdTe층상에 형성된 에너지 밴드갭이 작고 도전형이 p형인 p-HgCdTe층과 상기 p-HgCdTe층상에 형성된 에너지 밴드갭이 작고 도전형이 n형인 n-HgCdTe층을 갖는 이색 적외선 검출 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 CdZnTe층인 것을 특징으로 하는 이색 적외선 검출 소자
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제1항에 있어서, 상기 N-HgCdTe층은 N-Hg0
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제1항에 있어서, 상기 N-HgCdTe층은 N-Hg0
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제3항에 있어서, N-HgCdTe층의 불순물 도핑농도는 5 x 1015/㎤이고 p-HgCdTe층의 불순물 노핑농도는 1 x 1016/㎤인 것을 특징으로 하는 이색 적외선 검출 소자
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제4항에 있어서, N-HgCdTe층의 불순물 도핑농도는 5 x 1015/㎤이고 p-HgCdTe층의 불순물 노핑농도는 1 x 1016/㎤인 것을 특징으로 하는 이색 적외선 검출 소자
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7
판형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 일면에 형성된 비반사막과, 상기 반도체 기판의 또다른 일면에 형성된 N-Hg0
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8
판형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 일면에 형성된 비반사막과, 상기 반도체 기판의 또다른 일면에 형성된 N-Hg0
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9
투명 반도체 기판을 준비하는 단계와; 상기 투명 반도체 기판상에 N-HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 N-HgCdTe층상에 p-HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 p-HgCdTe층의 일부에 n-HgCdTe층을 형성하는 단계를 순차실시하는 이색 적외선 검출 소자의 제조방법
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10
제9항에 있어서, 상기 p-HgCdTe층의 일부에 n-HgCdTe층을 형성하는 단계는, p-HgCdTe층에 이온주입을 실시하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이색 적외선 검출 소자의 제조방법
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11
제9항에 있어서, 상기 n-HgCdTe층은 N-Hg0
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제9항에 있어서, 상기 N-HgCdTe층은 N-Hg0
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13
투명 반도체 기판을 준비하는 단계와; 상기 투명 반도체 기판상에 N-HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 N-HgCdTe층상에 p-HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 p-HgCdTe층의 소정영역에 이온주입공정을 이용하여 n-HgCdTe층을 형성하는 단계와; 상기 n-HgCdTe층 및 p-HgCdTe층상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 p-HgCdTe층 및 그 상부층인 절연막과 하부층인 N-HgCdTe층의 소정깊이를 식각하여 소자격리홀을 형성하는 단계와, 상기 소자격리홀상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 p-HgCdTe층에 제1컨택홀을 형성하고, 상기 n-HgCdTe층에 제2 컨택홀을 형성하고, 상기 N-HgCdTe층에 제3 컨택홀을 형성하는 단계와, 상기 제1, 제2, 제3 컨택홀에 금속층의 접속부재를 형성하는 단계를 순차실시하는 이색 적외선 검출 소자의 제조방법
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제13에 있어서, 상기 절연막은 ZnS막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이색 적외선 감지 소자의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 접속부재를 형성하는 단계는, 상기 절연막을 식각하여 제1, 제2, 제3 컨택홀을 형성하는 단계와, 상기 제3컨택홀에 인듐으로 된 접속 부재를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2 컨택홀에 제1금속층을 형성하는 단계와, 상기 제1 금속층 상면의 소정영역에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이색 적외선 감지 소자의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제1금속층은 니켈과 인듐의 다층막으로 형성된 것을 특징으로 하는 이색 적외선 감지 소자의 제조방법
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17
제15항에 있어서, 상기 제1금속층은 인듐으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이색 적외선 감지 소자의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제2금속층은 인듐으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이색 적외선 감지 소자의 제조방법
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