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반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015156920
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 활성층이 형성된 기판의 제1 면에 제1 금속층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 제1 금속층 상에 방열판 형성 패턴에 따라 방열판을 형성하는 단계와, 상기 형성된 방열판 형성 패턴 및 방열판 상에 지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 연마하는 단계와, 상기 기판의 제2 면에 반도체 소자 패턴에 따라 제2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 소자 패턴에 따라 상기 기판 및 제1 금속층을 식각하여 반도체 소자를 형성하는 단계와, 상기 지지층을 식각하여 상기 반도체 소자를 분리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법을 구성한다. 상기와 같은 반도체 소자 제조 방법에 따르면, 소잉(sawing)이 아닌 식각에 의해 반도체 소자를 분리함으로써, 방열판 소잉시에 소(saw)가 지나간 부위가 늘어나거나 방열판 뒷면이 솟아오르는 문제점을 방지할 수 있는 효과가 있다. 반도체 소자, 소잉, 방열판, 식각, 금속
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01) H01L 21/78(2013.01)
출원번호/일자 1020090059568 (2009.07.01)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1041889-0000 (2011.06.09)
공개번호/일자 10-2011-0002135 (2011.01.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구
2 이성대 대한민국 서울특별시 금천구
3 김미라 대한민국 서울특별시 은평구
4 민대홍 대한민국 서울특별시 동작구
5 엄원영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인원전 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 풍림빌딩 *층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0401108-96
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0098022-32
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0293945-86
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0293944-30
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0295708-65
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0033275-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성층이 형성된 기판의 제1 면에 제1 금속층을 형성하는 단계; 상기 형성된 제1 금속층 상에 방열판 형성 패턴에 따라 방열판을 형성하는 단계; 상기 형성된 방열판 형성 패턴 및 방열판 상에 지지층을 형성하는 단계; 상기 기판(제2 면)을 연마하는 단계; 상기 기판의 제2 면에 반도체 소자 패턴에 따라 제2 금속층을 형성하는 단계; 상기 반도체 소자 패턴에 따라 상기 기판 및 제1 금속층을 식각하여 반도체 소자를 형성하는 단계 및 상기 지지층을 식각하여 상기 반도체 소자를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 형성된 방열판 형성 패턴 및 방열판 상에 지지층을 형성하는 단계는, 상기 지지층을 금속 또는 유전 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 지지층을 식각하여 상기 반도체 소자를 분리하는 단계에서 상기 방열판이 식각되는 것을 방지하기 위해, 상기 방열판과 상기 지지층 사이에 중간 삽입 물질을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 지지층이 금(Au)인 경우, 상기 중간 삽입 물질은 상기 금(Au)에 대해 선택적으로 식각될 수 있는 티타늄인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 반도체 소자 패턴에 따라 상기 기판 및 제1 금속층을 식각하여 반도체 소자를 형성하는 단계에서, 상기 형성되는 반도체 소자는 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.