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인듐안티모나이드의 플라즈마 다중 식각 방법 및 이에 의한 인듐안티모나이드 기판

  • 기술번호 : KST2015156937
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 인듐안티모나이드(InSb)의 건식 식각 방법은 아르곤 가스와 질소 가스를 식각 가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 플라즈마화하여 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 식각하는 단계, 아르곤 가스를 사용하여 고속 식각 후, 아르곤과 질소 혼합 가스에 의해 추가 식각, 질소 가스를 사용하는 최종 식각 공정을 단계적으로 진행하는 것을 포함한다. 이로부터, 빠른 식각 속도와 함께 편평한 표면 거칠기와 낮은 결함발생을 나타내는 우수한 식각 특성을 갖는 인듐안티모나이드가 제공됨으로써, 중적외선 검출소자(Infrared photodetector) 및 초고속,저전력을 요구하는 반도체 소자(High speed 0026# Low power consumption device) 등에 유용하게 사용되는 특징을 갖는다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020140026516 (2014.03.06)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1555592-0000 (2015.09.18)
공개번호/일자 10-2015-0104779 (2015.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150924) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석철균 대한민국 서울특별시 관악구
2 윤의준 대한민국 서울특별시 용산구
3 김치연 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0220136-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0091514-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0123049-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0357533-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0357528-88
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0540938-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0816377-79
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0816378-14
10 등록결정서
Decision to grant
2015.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0638908-39
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번호 청구항
1 1
아르곤(Ar)을 함유하는 가스와 질소(N2)를 함유하는 가스를 식각 가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 플라즈마 상태로 만들어 플라즈마 중의 이온 및 라디칼 중 적어도 어느 하나에 의해 인듐 및 안티모니 계열 물질이 식각되는 공정;이 포함되고,상기 식각공정은 상기 아르곤(Ar)가스에 의한 1차 고속 식각 공정, 상기 아르곤(Ar)과 질소(N2)혼합가스에 의한 2차 식각 공정, 상기 질소(N2)가스에 의한 3차 저속 식각 공정으로 구분되며;상기 1차 고속 식각 공정 후 상기 2차 식각 공정이 이루어지고, 상기 2차 식각 공정 후 상기 3차 저속 식각 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드의 플라즈마 다중 식각 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 식각공정은 상기 인듐 및 안티모니 계열 물질에 대한 건식 식각인 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드의 플라즈마 다중 식각 방법
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 2차 식각 공정에서, 상기 아르곤(Ar)과 상기 질소(N2)의 혼합비은 각각 0% 부터 100% 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드의 플라즈마 다중 식각 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 3차 저속 식각 공정에서, 표면에 생성되는 나이트라이드 계열의 물질을 표면보호막으로 사용하는 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드의 플라즈마 다중 식각 방법
6 6
아르곤(Ar)을 함유한 식각 가스에 의한 1차 고속 식각공정으로 식각시 제1 결함층(2)이 형성되고, 아르곤(Ar)과 질소(N2)를 모두 함유한 식각 가스에 의한 2차 식각공정으로 상기 제1 결함층(2)의 제거 후 제2 결함층(3)이 형성되며, 질소(N2)를 함유한 식각 가스에 의한 3차 저속 식각공정으로 상기 제2 결함층(3)이 제거된 식각표면을 형성한 인듐안티모나이드 식각 기판;상기 인듐안티모나이드 식각기판의 상기 식각 표면을 플라즈마 처리해 형성된 표면 보호층(5);이 포함된 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드 기판
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 표면 보호층(5)은 상기 인듐안티모나이드 식각기판의 상기 식각 표면에 존재하는 결함들을 부동화(Passivation)시켜주는 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드 기판
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 표면 보호층(5)은 나이트라이드 계열인 것을 특징으로 하는 인듐안티모나이드 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.